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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2329DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1485pF@4V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2329DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1485pF@4V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2342DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1070pF@4V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：8V
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分类：Mosfet场效应管
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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输入电容：1070pF@4V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@7.2A，4.5V
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功率：2.5W
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栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1485pF@4V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：8V
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功率：2.5W
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输入电容：1485pF@4V
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类型：P沟道
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功率：2.5W
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输入电容：1485pF@4V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.3A，4.5V
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连续漏极电流：6A
类型：P沟道
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输入电容：1070pF@4V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@7.2A，4.5V
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类型：N沟道
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功率：2.5W
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栅极电荷：15.8nC@4.5V
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输入电容：1070pF@4V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@7.2A，4.5V
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类型：P沟道
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输入电容：1070pF@4V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
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功率：2.5W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
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输入电容：1485pF@4V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.3A，4.5V
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规格型号(MPN)：SI2342DS-T1-GE3
栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1070pF@4V
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类型：N沟道
功率：2.5W
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连续漏极电流：6A
漏源电压：8V
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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连续漏极电流：6A
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类型：P沟道
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连续漏极电流：6A
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类型：N沟道
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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功率：2.5W
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ECCN：EAR99
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类型：P沟道
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输入电容：1485pF@4V
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类型：P沟道
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