品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1013X-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:450mV@250µA
功率:250mW
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@350mA,4.5V
栅极电荷:1.5nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:350mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1026X-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:305mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
功率:250mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1024X-T1-GE3
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:485mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1013X-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:450mV@250µA
功率:250mW
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@350mA,4.5V
栅极电荷:1.5nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:350mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1023X-T1-GE3
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.2Ω@350mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
阈值电压:450mV@250µA
连续漏极电流:370mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1026X-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:305mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
功率:250mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1029X-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:305mA€190mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:1.4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
类型:N和P沟道
功率:250mW
输入电容:30pF@25V€23pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1035X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:400mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:180mA€145mA
类型:N和P沟道
导通电阻:5Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1022R-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:330mA
类型:N沟道
导通电阻:1.25Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1013X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:450mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:350mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1035X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:400mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:180mA€145mA
类型:N和P沟道
导通电阻:5Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1026X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:305mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1024X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:485mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1035X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:400mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:180mA€145mA
类型:N和P沟道
导通电阻:5Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1032R-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.75nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:140mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1022R-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:330mA
类型:N沟道
导通电阻:1.25Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1032R-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.75nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:140mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1032R-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.75nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:140mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1013X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:450mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:350mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1022R-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:330mA
类型:N沟道
导通电阻:1.25Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1029X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V€23pF@25V
连续漏极电流:305mA€190mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1026X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:305mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1035X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:400mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:180mA€145mA
类型:N和P沟道
导通电阻:5Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1026X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:305mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1032R-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.75nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:140mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1026X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:305mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1025X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1023X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:450mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:370mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1035X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:400mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:180mA€145mA
类型:N和P沟道
导通电阻:5Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1023X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:450mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:370mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: