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    品牌: VISHAY
    ECCN: EAR99
    功率: 1.9W
    当前匹配商品:200+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2303ES-T1_BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2303ES-T1_BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2303ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7898DP-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7898DP-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7898DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7898DP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7898DP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7898DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7460DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7460DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7460DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7846DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7898DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7898DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7898DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2303ES-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2303ES-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2303ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7846DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7852DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7852DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7898DP-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7898DP-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7898DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7450DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7450DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7450DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7852DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7852DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7450DP-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7450DP-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7450DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7463DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.2mΩ@18.6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7450DP-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7450DP-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7450DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

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