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销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM120N06-3M5L_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：375W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：330nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：14700pF@25V

连续漏极电流：120A

类型：N沟道

导通电阻：3.5mΩ@29A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM120N06-3M5L_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：375W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：330nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：14700pF@25V

连续漏极电流：120A

类型：N沟道

导通电阻：3.5mΩ@29A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM120P06-07L_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：375W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：270nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：14280pF@25V

连续漏极电流：120A

类型：P沟道

导通电阻：6.7mΩ@30A，10V

漏源电压：60V

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包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM120P06-07L_GE3

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功率：375W

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ECCN：EAR99

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类型：P沟道

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM50020EL_GE3

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功率：375W

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栅极电荷：200nC@10V

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输入电容：15100pF@25V

连续漏极电流：120A

类型：N沟道

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM120P06-07L_GE3

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功率：375W

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM50020EL_GE3

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功率：375W

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销售单位：个

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：1.75mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3

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功率：375W

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类型：MOSFET

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包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM120N06-3M5L_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：375W

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栅极电荷：330nC@10V

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包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM120P06-07L_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：375W

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栅极电荷：270nC@10V

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包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM120N06-3M5L_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：375W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：330nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：14700pF@25V

连续漏极电流：120A

类型：N沟道

导通电阻：3.5mΩ@29A，10V

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包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3

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功率：375W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

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连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：1.75mΩ

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

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包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

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连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM120P06-07L_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：375W

阈值电压：2.5V@250µA

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类型：P沟道

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：800psc

规格型号(MPN)：SQM120N06-3M5L_GE3

栅极电荷：330nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：14700pF@25V

导通电阻：3.5mΩ@29A，10V

阈值电压：2.5V@250µA

类型：N沟道

漏源电压：60V

工作温度：-55℃~175℃

功率：375W

连续漏极电流：120A

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM120P06-07L_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：375W

阈值电压：2.5V@250µA

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栅极电荷：270nC@10V

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输入电容：14280pF@25V

连续漏极电流：120A

类型：P沟道

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漏源电压：60V

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包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM50020EL_GE3

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功率：375W

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包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM50020EL_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：375W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：200nC@10V

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包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM50020EL_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：375W

阈值电压：2.5V@250µA

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栅极电荷：200nC@10V

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连续漏极电流：120A

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包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM120P06-07L_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：375W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：270nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：14280pF@25V

连续漏极电流：120A

类型：P沟道

导通电阻：6.7mΩ@30A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM50020EL_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：375W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：200nC@10V

包装方式：卷带（TR）

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连续漏极电流：120A

类型：N沟道

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包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP50010E-GE3

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功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

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漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP50010E-GE3

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ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1