品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40N06-14L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2105pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQD40N06-14L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2105pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
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功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
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栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2105pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
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行业应用:工业,汽车
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功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
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栅极电荷:51nC@10V
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输入电容:2105pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQD40N06-14L_GE3
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功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
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栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2105pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40N06-14L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2105pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40N06-14L_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:14mΩ@20A,10V
输入电容:2105pF@25V
栅极电荷:51nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40N06-14L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2105pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
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功率:75W
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栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2105pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
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规格型号(MPN):SQD40N06-14L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2105pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
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功率:75W
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连续漏极电流:40A
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导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
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阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
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导通电阻:14mΩ@20A,10V
输入电容:2105pF@25V
栅极电荷:51nC@10V
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