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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS72DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@75V
连续漏极电流：7A€25.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS72DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@75V
连续漏极电流：7A€25.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS92DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@125V
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS65DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4930pF@15V
连续漏极电流：25.9A€94A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS65DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：2.3V@250µA
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栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4930pF@15V
连续漏极电流：25.9A€94A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS73DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：719pF@75V
连续漏极电流：4.4A€16.2A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS92DN-T1-GE3
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功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@125V
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
漏源电压：250V
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规格型号(MPN)：SISS73DN-T1-GE3
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功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：719pF@75V
连续漏极电流：4.4A€16.2A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：SISS65DN-T1-GE3
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功率：5.1W€65.8W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4930pF@15V
连续漏极电流：25.9A€94A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@75V
连续漏极电流：7A€25.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
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输入电容：550pF@75V
连续漏极电流：7A€25.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
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阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：719pF@75V
连续漏极电流：4.4A€16.2A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
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阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4930pF@15V
连续漏极电流：25.9A€94A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@125V
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
漏源电压：250V
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输入电容：350pF@125V
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
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栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@75V
连续漏极电流：7A€25.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
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功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@75V
连续漏极电流：7A€25.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
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功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@125V
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
漏源电压：250V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS72DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@75V
连续漏极电流：7A€25.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@125V
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
漏源电压：250V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS72DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@75V
连续漏极电流：7A€25.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS92DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@125V
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS73DN-T1-GE3
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功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：719pF@75V
连续漏极电流：4.4A€16.2A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS72DN-T1-GE3
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功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@75V
连续漏极电流：7A€25.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4930pF@15V
连续漏极电流：25.9A€94A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS73DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：719pF@75V
连续漏极电流：4.4A€16.2A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
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销售单位：个
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功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：719pF@75V
连续漏极电流：4.4A€16.2A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS65DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4930pF@15V
连续漏极电流：25.9A€94A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
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工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@75V
连续漏极电流：7A€25.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS65DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4930pF@15V
连续漏极电流：25.9A€94A
类型：P沟道
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