品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
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漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
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输入电容:5900pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:83nC@10V
功率:6.25W€104W
输入电容:3.77nF@30V
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:40.4A€165A
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: