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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3443CDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@10V
连续漏极电流：5.97A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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连续漏极电流：5.97A
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输入电容：610pF@10V
连续漏极电流：5.97A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
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输入电容：610pF@10V
连续漏极电流：5.97A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
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输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
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连续漏极电流：5.97A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
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连续漏极电流：5.97A
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输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
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连续漏极电流：5.97A
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导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
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连续漏极电流：1.4A
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导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
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栅极电荷：12.4nC@5V
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输入电容：610pF@10V
连续漏极电流：5.97A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
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栅极电荷：12.4nC@5V
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连续漏极电流：5.97A
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栅极电荷：12.4nC@5V
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连续漏极电流：5.97A
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ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@10V
连续漏极电流：5.97A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
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栅极电荷：12.4nC@5V
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输入电容：610pF@10V
连续漏极电流：5.97A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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阈值电压：1.5V@250µA
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栅极电荷：12.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@10V
连续漏极电流：5.97A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-GE3
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功率：2W€3.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@10V
连续漏极电流：5.97A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443CDV-T1-GE3
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输入电容：610pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：12.4nC@5V
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
连续漏极电流：5.97A
功率：2W€3.2W
ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443CDV-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：12.4nC@5V
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
连续漏极电流：5.97A
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443CDV-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：12.4nC@5V
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
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连续漏极电流：5.97A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
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栅极电荷：19nC@10V
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
输入电容：510pF@50V
功率：2W€3.2W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：1.4A
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
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ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@10V
连续漏极电流：5.97A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
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