首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1170pF@50V

    连续漏极电流:36.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:5W(Ta),38W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470 pF @ 15 V

    连续漏极电流:27A(Ta),60A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:5W(Ta),38W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470 pF @ 15 V

    连续漏极电流:27A(Ta),60A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:6.25W(Ta),104W(Tc)

    阈值电压:2.3V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:330 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12900 pF @ 20 V

    连续漏极电流:31A(Ta),100A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:3.6 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:6.25W(Ta),104W(Tc)

    阈值电压:2.3V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:330 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12900 pF @ 20 V

    连续漏极电流:31A(Ta),100A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:3.6 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3

    栅极电荷:32 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:27A(Ta),60A(Tc)

    输入电容:1470 pF @ 15 V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.3 毫欧 @ 10A,10V

    功率:5W(Ta),38W(Tc)

    阈值电压:2.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF-BE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),42W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.4 欧姆 @ 1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7913DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7913DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7913DN-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.3W

    阈值电压:1V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC @ 4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:37 毫欧 @ 7.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252ADP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252ADP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2331

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7252ADP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.6W(Ta),33.8W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.5nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1266pF @ 50V

    连续漏极电流:9.3A(Ta),28.7A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:18.6 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA04DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA04DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA04DN-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.7W(Ta),52W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3595 pF @ 15 V

    连续漏极电流:30.9A(Ta),40A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.15 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA04DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA04DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA04DN-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.7W(Ta),52W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3595 pF @ 15 V

    连续漏极电流:30.9A(Ta),40A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.15 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR624DP-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR624DP-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR624DP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:52W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110 pF @ 100 V

    连续漏极电流:18.6A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:60 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7913DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7913DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7913DN-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.3W

    阈值电压:1V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC @ 4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:37 毫欧 @ 7.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252ADP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252ADP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2331

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7252ADP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.6W(Ta),33.8W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.5nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1266pF @ 50V

    连续漏极电流:9.3A(Ta),28.7A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:18.6 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7820DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7820DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7820DN-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.5W(Ta)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.7A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:240 毫欧 @ 2.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订15000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订15000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252ADP-T1-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252ADP-T1-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2331

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7252ADP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.6W(Ta),33.8W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.5nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1266pF @ 50V

    连续漏极电流:9.3A(Ta),28.7A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:18.6 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1818

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420PBF

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),42W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:360 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.4A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3 欧姆 @ 1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL014TRPBF-BE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2W(Ta),3.1W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:200 毫欧 @ 1.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ186DP-T1-GE3 起订12000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ186DP-T1-GE3 起订12000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ186DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:4.5 毫欧 @ 15A,10V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    漏源电压:60V

    类型:N 通道

    功率:5W(Ta),57W(Tc)

    阈值电压:3.6V @ 250µA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    输入电容:1710 pF @ 30 V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:23A(Ta),79.4A(Tc)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:2334

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:100A(Tc)

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    漏源电压:60V

    类型:N 通道

    功率:104W(Tc)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    生产批次:2334

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:100A(Tc)

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    漏源电压:60V

    类型:N 通道

    功率:104W(Tc)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26DN-T1-GE3 起订18000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26DN-T1-GE3 起订18000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS26DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:4.5 毫欧 @ 15A,10V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    连续漏极电流:60A(Tc)

    漏源电压:60V

    类型:N 通道

    功率:57W(Tc)

    阈值电压:3.6V @ 250µA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    输入电容:1710 pF @ 30 V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2A(Tc)

    功率:2.5W(Ta),42W(Tc)

    输入电容:350 pF @ 25 V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    栅极电荷:18 nC @ 10 V

    类型:N 通道

    导通电阻:4.4 欧姆 @ 1.2A,10V

    漏源电压:600V

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252ADP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252ADP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:2331

    规格型号(MPN):SI7252ADP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.3A(Ta),28.7A(Tc)

    导通电阻:18.6 毫欧 @ 10A,10V

    输入电容:1266pF @ 50V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    类型:2 N-通道(双)

    阈值电压:4V @ 250µA

    功率:3.6W(Ta),33.8W(Tc)

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    栅极电荷:26.5nC @ 10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧