品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF@50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:5W(Ta),38W(Tc)
阈值电压:2.4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470 pF @ 15 V
连续漏极电流:27A(Ta),60A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.3 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:5W(Ta),38W(Tc)
阈值电压:2.4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470 pF @ 15 V
连续漏极电流:27A(Ta),60A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.3 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:6.25W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:2.3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:330 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12900 pF @ 20 V
连续漏极电流:31A(Ta),100A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:3.6 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:6.25W(Ta),104W(Tc)
阈值电压:2.3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:330 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12900 pF @ 20 V
连续漏极电流:31A(Ta),100A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:3.6 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3
栅极电荷:32 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:27A(Ta),60A(Tc)
输入电容:1470 pF @ 15 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
导通电阻:4.3 毫欧 @ 10A,10V
功率:5W(Ta),38W(Tc)
阈值电压:2.4V @ 250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF-BE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350 pF @ 25 V
连续漏极电流:2A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.4 欧姆 @ 1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7913DN-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.3W
阈值电压:1V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC @ 4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:2 个 P 沟道(双)
导通电阻:37 毫欧 @ 7.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2331
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252ADP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.6W(Ta),33.8W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1266pF @ 50V
连续漏极电流:9.3A(Ta),28.7A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:18.6 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2334
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:104W(Tc)
阈值电压:3.4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78 nC @ 7.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130 pF @ 30 V
连续漏极电流:100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2334
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:104W(Tc)
阈值电压:3.4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78 nC @ 7.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130 pF @ 30 V
连续漏极电流:100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA04DN-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.7W(Ta),52W(Tc)
阈值电压:2.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595 pF @ 15 V
连续漏极电流:30.9A(Ta),40A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.15 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA04DN-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.7W(Ta),52W(Tc)
阈值电压:2.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595 pF @ 15 V
连续漏极电流:30.9A(Ta),40A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.15 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2334
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:104W(Tc)
阈值电压:3.4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78 nC @ 7.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130 pF @ 30 V
连续漏极电流:100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR624DP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:52W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23 nC @ 7.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110 pF @ 100 V
连续漏极电流:18.6A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:60 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7913DN-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.3W
阈值电压:1V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC @ 4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:2 个 P 沟道(双)
导通电阻:37 毫欧 @ 7.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2331
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252ADP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.6W(Ta),33.8W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1266pF @ 50V
连续漏极电流:9.3A(Ta),28.7A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:18.6 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7820DN-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.7A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:240 毫欧 @ 2.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2334
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:104W(Tc)
阈值电压:3.4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78 nC @ 7.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130 pF @ 30 V
连续漏极电流:100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2334
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:104W(Tc)
阈值电压:3.4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78 nC @ 7.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130 pF @ 30 V
连续漏极电流:100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2331
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252ADP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.6W(Ta),33.8W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1266pF @ 50V
连续漏极电流:9.3A(Ta),28.7A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:18.6 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1818
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR420PBF
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:360 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.4A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:3 欧姆 @ 1.4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2334
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:104W(Tc)
阈值电压:3.4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78 nC @ 7.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130 pF @ 30 V
连续漏极电流:100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL014TRPBF-BE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2W(Ta),3.1W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300 pF @ 25 V
连续漏极电流:2.7A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:200 毫欧 @ 1.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ186DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.5 毫欧 @ 15A,10V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:60V
类型:N 通道
功率:5W(Ta),57W(Tc)
阈值电压:3.6V @ 250µA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
输入电容:1710 pF @ 30 V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:23A(Ta),79.4A(Tc)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:2334
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:100A(Tc)
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:60V
类型:N 通道
功率:104W(Tc)
输入电容:5130 pF @ 30 V
栅极电荷:78 nC @ 7.5 V
阈值电压:3.4V @ 250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
生产批次:2334
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:100A(Tc)
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:60V
类型:N 通道
功率:104W(Tc)
输入电容:5130 pF @ 30 V
栅极电荷:78 nC @ 7.5 V
阈值电压:3.4V @ 250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.5 毫欧 @ 15A,10V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流:60A(Tc)
漏源电压:60V
类型:N 通道
功率:57W(Tc)
阈值电压:3.6V @ 250µA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
输入电容:1710 pF @ 30 V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF-BE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2A(Tc)
功率:2.5W(Ta),42W(Tc)
输入电容:350 pF @ 25 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
栅极电荷:18 nC @ 10 V
类型:N 通道
导通电阻:4.4 欧姆 @ 1.2A,10V
漏源电压:600V
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:2331
规格型号(MPN):SI7252ADP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.3A(Ta),28.7A(Tc)
导通电阻:18.6 毫欧 @ 10A,10V
输入电容:1266pF @ 50V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:2 N-通道(双)
阈值电压:4V @ 250µA
功率:3.6W(Ta),33.8W(Tc)
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
栅极电荷:26.5nC @ 10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: