品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SQM40031EL_GE3
栅极电荷:800nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
功率:375W
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
输入电容:39000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:62W
漏源电压:40V
输入电容:1855pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:130nC@10V
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:55A
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:4500pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ912BEP-T1_GE3
导通电阻:11mΩ@9A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:48W
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ504EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
输入电容:1900pF@25V€4600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB42EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:48W
类型:2N沟道(双)
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA36EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.24mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:107nC@10V
连续漏极电流:350A
功率:500W
ECCN:EAR99
输入电容:6636pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ912BEP-T1_GE3
导通电阻:11mΩ@9A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:48W
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ138EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:81nC@10V
漏源电压:40V
输入电容:4715pF@25V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.8mΩ@15A,10V
连续漏极电流:330A
功率:312W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA36EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.24mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:107nC@10V
连续漏极电流:350A
功率:500W
ECCN:EAR99
输入电容:6636pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
功率:68W
导通电阻:7mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:11000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA36EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.24mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:107nC@10V
连续漏极电流:350A
功率:500W
ECCN:EAR99
输入电容:6636pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM40010EL-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:230nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
功率:375W
输入电容:11155pF@30V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB40EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:8mΩ@8A,10V
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SQM120P04-04L_GE3
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:4mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:13980pF@20V
类型:P沟道
功率:375W
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200A
漏源电压:40V
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
栅极电荷:165nC@10V
输入电容:14780pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4284EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
功率:3.9W
漏源电压:40V
输入电容:2200pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.5mΩ@7A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
栅极电荷:12.7nC@10V
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:8A
输入电容:678pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ946EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:33mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
连续漏极电流:15A
ECCN:EAR99
输入电容:600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:9.4mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
功率:3W€136W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_BE3
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:2030pF@20V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:57nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@18A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:62W
漏源电压:40V
输入电容:1855pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS840CENW-T1_GE3
输入电容:1031pF@20V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:20mΩ@7.5A,10V
栅极电荷:22.5nC@10V
功率:33W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ912DEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
功率:27W
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
导通电阻:7.3mΩ@7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ912BEP-T1_GE3
导通电阻:11mΩ@9A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:48W
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:4.1A
栅极电荷:12nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:94mΩ@10A,10V
功率:3W
输入电容:420pF@20V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:130nC@10V
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:55A
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:4500pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ147ELP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:5500pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
功率:183W
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
导通电阻:12.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4284EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
功率:3.9W
漏源电压:40V
输入电容:2200pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.5mΩ@7A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P04-13L_GE3
输入电容:3590pF@20V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:3W€136W
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:13mΩ@17A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
栅极电荷:90nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: