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    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40031EL_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40031EL_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SQM40031EL_GE3

    栅极电荷:800nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    导通电阻:3mΩ@30A,10V

    功率:375W

    连续漏极电流:120A

    ECCN:EAR99

    输入电容:39000pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:62W

    漏源电压:40V

    输入电容:1855pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:130nC@10V

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:55A

    功率:68W

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    输入电容:4500pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ912BEP-T1_GE3

    导通电阻:11mΩ@9A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:48W

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ504EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ504EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ504EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:N和P沟道

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    输入电容:1900pF@25V€4600pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB42EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB42EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB42EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:48W

    类型:2N沟道(双)

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA36EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA36EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA36EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:1.24mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:107nC@10V

    连续漏极电流:350A

    功率:500W

    ECCN:EAR99

    输入电容:6636pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ912BEP-T1_GE3

    导通电阻:11mΩ@9A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:48W

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ138EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ138EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ138EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:81nC@10V

    漏源电压:40V

    输入电容:4715pF@25V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:1.8mΩ@15A,10V

    连续漏极电流:330A

    功率:312W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA36EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA36EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA36EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:1.24mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:107nC@10V

    连续漏极电流:350A

    功率:500W

    ECCN:EAR99

    输入电容:6636pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    功率:68W

    导通电阻:7mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    连续漏极电流:60A

    ECCN:EAR99

    输入电容:11000pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA36EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA36EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA36EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:1.24mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:107nC@10V

    连续漏极电流:350A

    功率:500W

    ECCN:EAR99

    输入电容:6636pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40010EL-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40010EL-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SUM40010EL-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:230nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:1.6mΩ@30A,10V

    功率:375W

    输入电容:11155pF@30V

    连续漏极电流:120A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB40EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB40EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB40EP-T1_BE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:8mΩ@8A,10V

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120P04-04L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120P04-04L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SQM120P04-04L_GE3

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:13980pF@20V

    类型:P沟道

    功率:375W

    连续漏极电流:120A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:200A

    漏源电压:40V

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    栅极电荷:165nC@10V

    输入电容:14780pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4284EY-T1_GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4284EY-T1_GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4284EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3.9W

    漏源电压:40V

    输入电容:2200pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13.5mΩ@7A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_BE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_BE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_BE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    栅极电荷:12.7nC@10V

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@5A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:8A

    输入电容:678pF@20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ946EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ946EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ946EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:33mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    连续漏极电流:15A

    ECCN:EAR99

    输入电容:600pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-09L-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-09L-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:9.4mΩ@24A,10V

    漏源电压:40V

    功率:3W€136W

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:4800pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_BE3

    功率:83W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    输入电容:2030pF@20V

    阈值电压:2.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:57nC@10V

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:62W

    漏源电压:40V

    输入电容:1855pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840CENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840CENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS840CENW-T1_GE3

    输入电容:1031pF@20V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:20mΩ@7.5A,10V

    栅极电荷:22.5nC@10V

    功率:33W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912DEP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912DEP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ912DEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    功率:27W

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:7.3mΩ@7A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ912BEP-T1_GE3

    导通电阻:11mΩ@9A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:48W

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2389ES-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:4.1A

    栅极电荷:12nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:94mΩ@10A,10V

    功率:3W

    输入电容:420pF@20V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:130nC@10V

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:55A

    功率:68W

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    输入电容:4500pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ147ELP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ147ELP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ147ELP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    输入电容:5500pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    功率:183W

    连续漏极电流:90A

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    导通电阻:12.5mΩ@10A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4284EY-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4284EY-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4284EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3.9W

    漏源电压:40V

    输入电容:2200pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13.5mΩ@7A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-13L_GE3

    输入电容:3590pF@20V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    导通电阻:13mΩ@17A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    栅极电荷:90nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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