品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:25mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
输入电容:3400pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_GE3
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:25mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
输入电容:3400pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361ES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
连续漏极电流:2.8A
导通电阻:177mΩ@2.4A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:550pF@30V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS460EN-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:755pF@25V
功率:39W
连续漏极电流:8A
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:36mΩ@5.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4948BEY-T1-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:120mΩ@3.1A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427EV-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.3A
类型:P-Channel
功率:5W
ECCN:EAR99
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ960EL-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:9mΩ@10A,10V
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:63A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS460CENW-T1_GE3
导通电阻:30mΩ@5.3A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:8A
功率:27W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3
栅极电荷:5.3nC@10V
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:2.3A
输入电容:205pF@30V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB60EP-T1_GE3
导通电阻:12mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ262EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:35.5mΩ@2A,10V,15.5mΩ@5A,10V
连续漏极电流:15A€40A
ECCN:EAR99
漏源电压:60V
功率:27W€48W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB00EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:48W
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
导通电阻:13mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ262EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A€40A
输入电容:550pF@25V€1260pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
ECCN:EAR99
漏源电压:60V
功率:27W€48W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4948BEY-T1-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:120mΩ@3.1A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_GE3
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:4586pF@30V
类型:P沟道
栅极电荷:108nC@10V
连续漏极电流:52A
ECCN:EAR99
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA442EJ-T1_GE3
功率:13.6W
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:636pF@25V
连续漏极电流:9A
导通电阻:32mΩ@3A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF9Z14PBF-BE3
连续漏极电流:6.7A
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
栅极电荷:12nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
包装方式:管件
导通电阻:500mΩ@4A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:43W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@30V
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
类型:P沟道
连续漏极电流:5.3A
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3
栅极电荷:5.3nC@10V
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:2.3A
输入电容:205pF@30V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF9Z34STRRPBF
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
导通电阻:140mΩ@11A,10V
输入电容:1100pF@25V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€88W
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR626LEP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
功率:7.5W€150W
连续漏极电流:48.7A€218A
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:5900pF@30V
栅极电荷:135nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFZ44RPBF
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
连续漏极电流:50A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1900pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
导通电阻:28mΩ@31A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:440mA
阈值电压:1V@250µA
功率:430mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361AEES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
连续漏极电流:2.8A
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:620pF@30V
类型:P沟道
栅极电荷:15nC@10V
ECCN:EAR99
功率:2W
导通电阻:170mΩ@2.4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4948BEY-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:120mΩ@3.1A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ464EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:32A
功率:45W
导通电阻:17mΩ@7.1A,10V
类型:N-Channel
ECCN:EAR99
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:330pF@25V
功率:3W
栅极电荷:2.5nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRFZ44STRLPBF
功率:3.7W€150W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1900pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
导通电阻:28mΩ@31A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4850EY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:22mΩ@6A,10V
功率:1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ560EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
功率:34W
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:30A€18A
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: