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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS184DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@30V
连续漏极电流：17.4A€65.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：42.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：32.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：42.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR878BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@50V
连续漏极电流：12A€42.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS184DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@30V
连续漏极电流：17.4A€65.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：42.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR668DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR668DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS184DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@30V
连续漏极电流：17.4A€65.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR878BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@50V
连续漏极电流：12A€42.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR668DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR668DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR668DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：42.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：42.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR680DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：32.8A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR668DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS184DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@30V
连续漏极电流：17.4A€65.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR184DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@30V
连续漏极电流：20.7A€73A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR878BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@50V
连续漏极电流：12A€42.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR680DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR184DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@30V
连续漏极电流：20.7A€73A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR878BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@50V
连续漏极电流：12A€42.5A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR184DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@30V
连续漏极电流：20.7A€73A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
