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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF634PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：8.1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA74DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€46.2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：24A€81.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH410DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@10V
连续漏极电流：22A€35A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4896DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4896DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI634GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@3.4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.7A€18.3A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.7A€18.3A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7852DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.7A€18.3A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7852DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.7A€18.3A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4896DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.7A€18.3A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA74DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€46.2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：24A€81.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI634GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@3.4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4896DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR622DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1516pF@75V
连续漏极电流：12.6A€51.6A
类型：N沟道
导通电阻：17.7mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH410DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@10V
连续漏极电流：22A€35A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH410DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@10V
连续漏极电流：22A€35A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA74DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€46.2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：24A€81.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH410DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@10V
连续漏极电流：22A€35A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF634PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：8.1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.7A€18.3A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH410DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@10V
连续漏极电流：22A€35A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH410DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@10V
连续漏极电流：22A€35A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7852DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.7A€18.3A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4896DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA74DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€46.2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：24A€81.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
