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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8821EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1499DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€2.78W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@4V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1499DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€2.78W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@4V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI8821EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
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栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-E3
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功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1499DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€2.78W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@4V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA485DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：15.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@75V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：2.6Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA485DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：15.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@75V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：2.6Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA485DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：15.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@75V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：2.6Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：SIA485DJ-T1-GE3
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功率：15.6W
阈值电压：4.5V@250µA
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栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@75V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：2.6Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1499DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€2.78W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@4V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8821EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8821EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA485DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：15.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@75V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：2.6Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2309CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：345mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA485DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：15.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@75V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：2.6Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA485DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：15.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@75V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：2.6Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1499DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€2.78W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@4V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8821EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA485DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：15.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@75V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：2.6Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1499DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€2.78W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@4V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1499DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€2.78W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@4V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA485DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：15.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@75V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：2.6Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
