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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2366DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2366DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2366DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2366DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2366DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2366DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4936CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4936CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4936CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4936CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4936CDY-T1-GE3
连续漏极电流：5.8A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@5A，10V
功率：2.3W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
输入电容：325pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4936CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4936CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4936CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2366DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2366DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
