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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2387DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@40V
连续漏极电流：2.1A€3A
类型：P沟道
导通电阻：164mΩ@2.1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2387DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@40V
连续漏极电流：2.1A€3A
类型：P沟道
导通电阻：164mΩ@2.1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2342DS-T1-BE3
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阈值电压：800mV@250µA
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栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1070pF@4V
连续漏极电流：6A€6A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：8V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2387DS-T1-GE3
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栅极电荷：10.2nC@10V
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输入电容：395pF@40V
连续漏极电流：2.1A€3A
类型：P沟道
导通电阻：164mΩ@2.1A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SI2393DS-T1-GE3
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功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：980pF@15V
连续漏极电流：6.1A€7.5A
类型：P沟道
导通电阻：22.7mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-GE3
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功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：6A
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导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SI2369BDS-T1-GE3
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栅极电荷：19.5nC@10V
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输入电容：745pF@15V
连续漏极电流：5.6A€7.5A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：10.2nC@10V
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输入电容：395pF@40V
连续漏极电流：2.1A€3A
类型：P沟道
导通电阻：164mΩ@2.1A，10V
漏源电压：80V
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输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：5.5A€6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：5.5A€6A
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导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：6A
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导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2393DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
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输入电容：980pF@15V
连续漏极电流：6.1A€7.5A
类型：P沟道
导通电阻：22.7mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：13nC@10V
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输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@40V
连续漏极电流：2.1A€3A
类型：P沟道
导通电阻：164mΩ@2.1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2342DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1070pF@4V
连续漏极电流：6A€6A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：8V
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功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：980pF@15V
连续漏极电流：6.1A€7.5A
类型：P沟道
导通电阻：22.7mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2393DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：980pF@15V
连续漏极电流：6.1A€7.5A
类型：P沟道
导通电阻：22.7mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2342DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1070pF@4V
连续漏极电流：6A€6A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：8V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2342DS-T1-BE3
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功率：1.3W€2.5W
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栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1070pF@4V
连续漏极电流：6A€6A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2369BDS-T1-GE3
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功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@15V
连续漏极电流：5.6A€7.5A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2369BDS-T1-GE3
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功率：1.3W€2.5W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@15V
连续漏极电流：5.6A€7.5A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2393DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.2nC@10V
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输入电容：980pF@15V
连续漏极电流：6.1A€7.5A
类型：P沟道
导通电阻：22.7mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2342DS-T1-BE3
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功率：1.3W€2.5W
阈值电压：800mV@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1070pF@4V
连续漏极电流：6A€6A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：8V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2369BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@15V
连续漏极电流：5.6A€7.5A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2342DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1070pF@4V
连续漏极电流：6A€6A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：5.5A€6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2342DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1070pF@4V
连续漏极电流：6A€6A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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