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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:290mW(Ta),340mW(Tc)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:1.8nC @ 10V,3nC @ 10V

    输入电容:38pF @ 10V,43pF @ 10V

    连续漏极电流:700mA(Ta),700mA(Tc),400mA(Ta),500mA(Tc)

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:390毫欧 @ 700mA,4.5V,850毫欧 @ 400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:290mW(Ta),340mW(Tc)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:1.8nC @ 10V,3nC @ 10V

    输入电容:38pF @ 10V,43pF @ 10V

    连续漏极电流:700mA(Ta),700mA(Tc),400mA(Ta),500mA(Tc)

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:390毫欧 @ 700mA,4.5V,850毫欧 @ 400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:290mW(Ta),340mW(Tc)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:1.8nC @ 10V,3nC @ 10V

    输入电容:38pF @ 10V,43pF @ 10V

    连续漏极电流:700mA(Ta),700mA(Tc),400mA(Ta),500mA(Tc)

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:390毫欧 @ 700mA,4.5V,850毫欧 @ 400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:290mW(Ta),340mW(Tc)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:1.8nC @ 10V,3nC @ 10V

    输入电容:38pF @ 10V,43pF @ 10V

    连续漏极电流:700mA(Ta),700mA(Tc),400mA(Ta),500mA(Tc)

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:390毫欧 @ 700mA,4.5V,850毫欧 @ 400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3590DV-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数50个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数50个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:290mW(Ta),340mW(Tc)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:1.8nC @ 10V,3nC @ 10V

    输入电容:38pF @ 10V,43pF @ 10V

    连续漏极电流:700mA(Ta),700mA(Tc),400mA(Ta),500mA(Tc)

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:390毫欧 @ 700mA,4.5V,850毫欧 @ 400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.9W(Ta)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:80 nC @ 4.5 V

    输入电容:5700 pF @ 6 V

    连续漏极电流:20A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.6 毫欧 @ 29A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.9W(Ta)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:80 nC @ 4.5 V

    输入电容:5700 pF @ 6 V

    连续漏极电流:20A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.6 毫欧 @ 29A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.9W(Ta)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:80 nC @ 4.5 V

    输入电容:5700 pF @ 6 V

    连续漏极电流:20A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.6 毫欧 @ 29A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订数1500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订数1500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.9W(Ta)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:80 nC @ 4.5 V

    输入电容:5700 pF @ 6 V

    连续漏极电流:20A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.6 毫欧 @ 29A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.9W(Ta)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:80 nC @ 4.5 V

    输入电容:5700 pF @ 6 V

    连续漏极电流:20A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.6 毫欧 @ 29A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订数3000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订数3000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.9W(Ta)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:80 nC @ 4.5 V

    输入电容:5700 pF @ 6 V

    连续漏极电流:20A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.6 毫欧 @ 29A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订数5000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR800ADP-T1-GE3 起订数5000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:5W(Ta),62.5W(Tc)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:53 nC @ 10 V

    输入电容:3415 pF @ 10 V

    连续漏极电流:50.2A(Ta),177A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.35 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订数750个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订数750个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:290mW(Ta),340mW(Tc)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:1.8nC @ 10V,3nC @ 10V

    输入电容:38pF @ 10V,43pF @ 10V

    连续漏极电流:700mA(Ta),700mA(Tc),400mA(Ta),500mA(Tc)

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:390毫欧 @ 700mA,4.5V,850毫欧 @ 400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858ADP-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.9W(Ta)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:80 nC @ 4.5 V

    输入电容:5700 pF @ 6 V

    连续漏极电流:20A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.6 毫欧 @ 29A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数25个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订数25个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:290mW(Ta),340mW(Tc)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    栅极电荷:1.8nC @ 10V,3nC @ 10V

    输入电容:38pF @ 10V,43pF @ 10V

    连续漏极电流:700mA(Ta),700mA(Tc),400mA(Ta),500mA(Tc)

    类型:N 和 P 沟道

    导通电阻:390毫欧 @ 700mA,4.5V,850毫欧 @ 400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    导通电阻:77 毫欧 @ 3A,4.5V

    连续漏极电流:2.5A,1.7A

    漏源电压:30V

    功率:830mW

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    类型:N 和 P 沟道

    栅极电荷:4.5nC @ 4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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