品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP17N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.3nF@100V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:305mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP17N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.3nF@100V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:305mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP17N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.3nF@100V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:305mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP17N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.3nF@100V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:305mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP17N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.3nF@100V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:305mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP17N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.3nF@100V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:305mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP17N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.3nF@100V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:305mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP17N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.3nF@100V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:305mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@10V,6A
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP17N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.3nF@100V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:305mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP17N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.3nF@100V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:305mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W€3.1W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP17N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.3nF@100V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:305mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
漏源电压:500V
阈值电压:4V@250μA
功率:125W
连续漏极电流:8A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
栅极电荷:63nC@10V
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
输入电容:1.3nF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
漏源电压:500V
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:8A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:125W€3.1W
栅极电荷:63nC@10V
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
输入电容:1.3nF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
漏源电压:500V
阈值电压:4V@250μA
功率:125W
连续漏极电流:8A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
栅极电荷:63nC@10V
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
输入电容:1.3nF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: