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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：17.9W€3.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A€10.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：17.9W€3.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A€10.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@10V，3.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：17.9W€3.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A€10.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：17.9W€3.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A€10.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1.295nF@15V
连续漏极电流：7.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：29mΩ@10V，5.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：195nC@10V
输入电容：6nF@15V
连续漏极电流：29A
类型：1个P沟道
导通电阻：5mΩ@10V，15A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：3.595nF@15V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：7.2mΩ@10V，15A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：195nC@10V
输入电容：6nF@15V
连续漏极电流：29A
类型：1个P沟道
导通电阻：5mΩ@10V，15A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2343CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@10V，4.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2343CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@10V，4.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：102nC@10V
输入电容：3.595nF@15V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：7.2mΩ@10V，15A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：135nC@10V
输入电容：5.125nF@15V
连续漏极电流：50A
类型：1个P沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V，1.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1.295nF@15V
连续漏极电流：7.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：29mΩ@10V，5.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：195nC@10V
输入电容：6nF@15V
连续漏极电流：29A
类型：1个P沟道
导通电阻：5mΩ@10V，15A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：195nC@10V
输入电容：6nF@15V
连续漏极电流：29A
类型：1个P沟道
导通电阻：5mΩ@10V，15A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：1.006nF@15V
连续漏极电流：9A
类型：1个P沟道
导通电阻：32mΩ@10V，7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：1.006nF@15V
连续漏极电流：9A
类型：1个P沟道
导通电阻：32mΩ@10V，7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1.295nF@15V
连续漏极电流：7.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：29mΩ@10V，5.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4431EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.265nF@15V
连续漏极电流：10.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si2343CDS-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：1.25W€2.5W
连续漏极电流：5.9A
栅极电荷：21nC@10V
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：45mΩ@10V，4.2A
输入电容：590pF@15V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
