品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€26.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.65nF@15V
连续漏极电流:60A€22A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€26.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.65nF@15V
连续漏极电流:60A€22A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:17.9W€3.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:12A€10.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€26.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.65nF@15V
连续漏极电流:60A€22A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:17.9W€3.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:12A€10.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€26.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.65nF@15V
连续漏极电流:60A€22A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€26.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.65nF@15V
连续漏极电流:60A€22A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€26.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.65nF@15V
连续漏极电流:60A€22A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@10V,3.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€26.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.65nF@15V
连续漏极电流:60A€22A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:17.9W€3.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:12A€10.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:17.9W€3.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:12A€10.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€26.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.65nF@15V
连续漏极电流:60A€22A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
栅极电荷:33nC@10V
输入电容:1.65nF@15V
连续漏极电流:60A€22A
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€26.5W
ECCN:EAR99
导通电阻:4.6mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€26.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.65nF@15V
连续漏极电流:60A€22A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:130nC@10V
输入电容:4.98nF@15V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.8mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:1.295nF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:29mΩ@10V,5.4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:195nC@10V
输入电容:6nF@15V
连续漏极电流:29A
类型:1个P沟道
导通电阻:5mΩ@10V,15A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.2W€15.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:435pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,7.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:102nC@10V
输入电容:3.595nF@15V
连续漏极电流:35A
类型:1个P沟道
导通电阻:7.2mΩ@10V,15A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:195nC@10V
输入电容:6nF@15V
连续漏极电流:29A
类型:1个P沟道
导通电阻:5mΩ@10V,15A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:5.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@10V,4.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.2W€15.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,7.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:5.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@10V,4.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7716ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:846pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:102nC@10V
输入电容:3.595nF@15V
连续漏极电流:35A
类型:1个P沟道
导通电阻:7.2mΩ@10V,15A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:5.125nF@15V
连续漏极电流:50A
类型:1个P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:19.5mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:846pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:1.295nF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:29mΩ@10V,5.4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: