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    品牌: VISHAY
    阈值电压: 2.5V@250μA
    漏源电压: 30V
    工作温度: -55℃~+150℃
    当前匹配商品:30+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483ADJ-T1-GE3 起订数3000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483ADJ-T1-GE3 起订数3000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:17.9W€3.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:26nC@10V

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:12A€10.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:20mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483ADJ-T1-GE3 起订数1500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483ADJ-T1-GE3 起订数1500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:17.9W€3.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:26nC@10V

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:12A€10.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:20mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订数1200个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订数1200个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:42mΩ@10V,3.8A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483ADJ-T1-GE3 起订数750个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483ADJ-T1-GE3 起订数750个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:17.9W€3.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:26nC@10V

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:12A€10.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:20mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483ADJ-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483ADJ-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:17.9W€3.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:26nC@10V

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:12A€10.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:20mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    类型:1个N沟道

    栅极电荷:33nC@10V

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    阈值电压:2.5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR158DP-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR158DP-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:130nC@10V

    输入电容:4.98nF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@10V,20A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订数3000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订数3000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:36nC@10V

    输入电容:1.295nF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,5.4A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订数25个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订数25个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:195nC@10V

    输入电容:6nF@15V

    连续漏极电流:29A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,15A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS412DN-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS412DN-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€15.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:435pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:24mΩ@10V,7.8A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7101DN-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7101DN-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:102nC@10V

    输入电容:3.595nF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10V,15A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:195nC@10V

    输入电容:6nF@15V

    连续漏极电流:29A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,15A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343CDS-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343CDS-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@10V,4.2A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS412DN-T1-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS412DN-T1-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€15.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:435pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:24mΩ@10V,7.8A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343CDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343CDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@10V,4.2A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7716ADN-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7716ADN-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7716ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€27.7W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:846pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7101DN-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7101DN-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:102nC@10V

    输入电容:3.595nF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10V,15A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7149ADP-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7149ADP-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:135nC@10V

    输入电容:5.125nF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4214DDY-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4214DDY-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:660pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:19.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4134DY-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4134DY-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:846pF@15V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2369DS-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:36nC@10V

    输入电容:1.295nF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,5.4A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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