品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
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导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
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规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
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输入电容:1.235nF@30V
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输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
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导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
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规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
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输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
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导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
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功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
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导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
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导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
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阈值电压:2.5V@250μA
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SiS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SiS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
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类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:3.6W€22.3W
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
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阈值电压:2.5V@250μA
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工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
连续漏极电流:10.2A€33.7A
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.25nF@40V
类型:1个N沟道
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
功率:3.6W€39W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SiS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
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连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
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销售单位:个
规格型号(MPN):SiS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SiS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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