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    品牌: VISHAY
    阈值电压: 2.5V@250μA
    类型: 1个N沟道
    漏源电压: 30V
    当前匹配商品:30+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA26EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA26EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:195nC@10V

    输入电容:9.778nF@25V

    连续漏极电流:410A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.77mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA26EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA26EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:195nC@10V

    输入电容:9.778nF@25V

    连续漏极电流:410A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.77mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA26EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA26EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3

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    阈值电压:2.5V@250μA

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    连续漏极电流:410A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.77mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA26EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA26EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3

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    功率:500W

    阈值电压:2.5V@250μA

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    输入电容:9.778nF@25V

    连续漏极电流:410A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.77mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA26EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA26EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:195nC@10V

    输入电容:9.778nF@25V

    连续漏极电流:410A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.77mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA26EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA26EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:195nC@10V

    输入电容:9.778nF@25V

    连续漏极电流:410A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.77mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA26EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA26EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3

    输入电容:9.778nF@25V

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250μA

    类型:1个N沟道

    工作温度:-55℃~+175℃

    导通电阻:0.77mΩ@15A,10V

    栅极电荷:195nC@10V

    功率:500W

    连续漏极电流:410A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    类型:1个N沟道

    栅极电荷:33nC@10V

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    阈值电压:2.5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA26EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA26EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3

    输入电容:9.778nF@25V

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250μA

    类型:1个N沟道

    工作温度:-55℃~+175℃

    导通电阻:0.77mΩ@15A,10V

    栅极电荷:195nC@10V

    功率:500W

    连续漏极电流:410A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA18ADN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€26.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.65nF@15V

    连续漏极电流:60A€22A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2348ES-T1_GE3 起订数250个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2348ES-T1_GE3 起订数250个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    连续漏极电流:8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:24mΩ@10V,12A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR158DP-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR158DP-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:130nC@10V

    输入电容:4.98nF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@10V,20A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS412DN-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS412DN-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€15.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:435pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:24mΩ@10V,7.8A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2348ES-T1_GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2348ES-T1_GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    连续漏极电流:8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:24mΩ@10V,12A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS412DN-T1-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS412DN-T1-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€15.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:435pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:24mΩ@10V,7.8A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7716ADN-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7716ADN-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7716ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€27.7W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:846pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA26EP-T1_GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA26EP-T1_GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:195nC@10V

    输入电容:9.778nF@25V

    连续漏极电流:410A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.77mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2348ES-T1_GE3 起订数50个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2348ES-T1_GE3 起订数50个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    连续漏极电流:8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:24mΩ@10V,12A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4134DY-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4134DY-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:846pF@15V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS412DN-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS412DN-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€15.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:435pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:24mΩ@10V,7.8A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7716ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7716ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7716ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€27.7W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:846pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7716ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7716ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7716ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€27.7W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:846pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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