品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:195nC@10V
输入电容:9.778nF@25V
连续漏极电流:410A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.77mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:195nC@10V
输入电容:9.778nF@25V
连续漏极电流:410A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.77mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA16EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
输入电容:5.485nF@25V
连续漏极电流:278A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:500W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
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连续漏极电流:278A
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漏源电压:60V
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功率:500W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
输入电容:5.485nF@25V
连续漏极电流:278A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:195nC@10V
输入电容:9.778nF@25V
连续漏极电流:410A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.77mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:195nC@10V
输入电容:9.778nF@25V
连续漏极电流:410A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.77mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:195nC@10V
输入电容:9.778nF@25V
连续漏极电流:410A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.77mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA16EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
输入电容:5.485nF@25V
连续漏极电流:278A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA16EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:84nC@10V
输入电容:5.485nF@25V
连续漏极电流:278A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:195nC@10V
输入电容:9.778nF@25V
连续漏极电流:410A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.77mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3
输入电容:9.778nF@25V
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250μA
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:0.77mΩ@15A,10V
栅极电荷:195nC@10V
功率:500W
连续漏极电流:410A
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3
输入电容:9.778nF@25V
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250μA
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:0.77mΩ@15A,10V
栅极电荷:195nC@10V
功率:500W
连续漏极电流:410A
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功率:500W
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栅极电荷:84nC@10V
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连续漏极电流:278A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:195nC@10V
输入电容:9.778nF@25V
连续漏极电流:410A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.77mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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