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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：11.6nC@5V
输入电容：585pF@4V
连续漏极电流：1.34A
类型：1个N沟道
导通电阻：86mΩ@1.34A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：750pC@4.5V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：11.6nC@5V
输入电容：585pF@4V
连续漏极电流：1.34A
类型：1个N沟道
导通电阻：86mΩ@1.34A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：11.6nC@5V
输入电容：585pF@4V
连续漏极电流：1.34A
类型：1个N沟道
导通电阻：86mΩ@1.34A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：11.6nC@5V
输入电容：585pF@4V
连续漏极电流：1.34A
类型：1个N沟道
导通电阻：86mΩ@1.34A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1050X-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：11.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@4V
连续漏极电流：1.34A
类型：1个N沟道
导通电阻：86mΩ@1.34A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
