品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA445EDJ-T1-GE3
功率:19W
阈值电压:1.2V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:16.5mΩ@4.5V,7A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:140mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:140mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
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工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:140mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
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工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:140mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
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工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:140mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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功率:250mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:140mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:250mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:140mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:250mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:140mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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