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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5V，3.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5V，3.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：2个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：41mΩ@10V，5.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：40mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：3.12W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：2个N沟道
导通电阻：65mΩ@10V，3.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：2个N沟道
导通电阻：36mΩ@10V，5.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5V，3.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10nC@5V
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N沟道
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：2个N沟道
导通电阻：36mΩ@10V，5.9A
漏源电压：30V
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功率：3.7W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：41mΩ@10V，5.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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功率：3.12W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：4A
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导通电阻：65mΩ@10V，3.1A
漏源电压：30V
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阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：6.5A
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导通电阻：41mΩ@10V，5.3A
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5V，3.9A
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栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5V，3.9A
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阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：41mΩ@10V，5.3A
漏源电压：60V
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5V，3.9A
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：2个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：2个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5V，3.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：40mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5V，3.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：41mΩ@10V，5.3A
漏源电压：60V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5V，3.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：41mΩ@10V，5.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：3.12W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：2个N沟道
导通电阻：65mΩ@10V，3.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：2个N沟道
导通电阻：36mΩ@10V，5.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：2个N沟道
导通电阻：36mΩ@10V，5.9A
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：840pF@30V
导通电阻：41mΩ@10V，5.3A
工作温度：-55℃~+175℃
漏源电压：60V
功率：3.7W
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：6.5A
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类型：2个N沟道
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：840pF@30V
导通电阻：41mΩ@10V，5.3A
工作温度：-55℃~+175℃
漏源电压：60V
功率：3.7W
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：6.5A
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