品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.3W€27.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:905pF@30V
连续漏极电流:12.6A€36.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.3W€27.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:905pF@30V
连续漏极电流:12.6A€36.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.3W€27.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:905pF@30V
连续漏极电流:12.6A€36.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.3W€27.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:905pF@30V
连续漏极电流:12.6A€36.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.3W€27.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:905pF@30V
连续漏极电流:12.6A€36.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1021R-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:1.7nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:1个P沟道
导通电阻:4Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:3.3W€27.1W
输入电容:905pF@30V
连续漏极电流:12.6A€36.2A
漏源电压:60V
栅极电荷:23nC@10V
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@10V,2.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.09W€1.66W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@10V,1.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:4.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.3W€27.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:905pF@30V
连续漏极电流:12.6A€36.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2318DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS468DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@40V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:19.5mΩ@10V,10A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114DN-T1-E3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10V,18.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114DN-T1-E3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10V,18.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@10V,2.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:4.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS892ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@50V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7423DN-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.4A
漏源电压:30V
导通电阻:18mΩ@10V,11.7A
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:56nC@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-E3
导通电阻:70mΩ@10V,2.5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:225pF@15V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:2.6A
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:4nC@5V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:750mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS892ADN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
连续漏极电流:28A
输入电容:550pF@50V
栅极电荷:19.5nC@10V
导通电阻:33mΩ@10A,10V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.7W€52W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DDY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:1.35nF@15V
连续漏极电流:11.4A
阈值电压:3V@250μA
导通电阻:24mΩ@10V,9.1A
功率:2.5W€5W
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: