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    品牌: VISHAY
    阈值电压: 3V@250μA
    工作温度: -55℃~+150℃
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:20+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W€27.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:905pF@30V

    连续漏极电流:12.6A€36.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W€27.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:905pF@30V

    连续漏极电流:12.6A€36.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W€27.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:905pF@30V

    连续漏极电流:12.6A€36.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W€27.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:905pF@30V

    连续漏极电流:12.6A€36.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W€27.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:905pF@30V

    连续漏极电流:12.6A€36.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1021R-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1021R-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1021R-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:1.7nC@15V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:190mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:1个N沟道

    功率:3.3W€27.1W

    输入电容:905pF@30V

    连续漏极电流:12.6A€36.2A

    漏源电压:60V

    栅极电荷:23nC@10V

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    阈值电压:3V@250μA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-E3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-E3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@10V,2.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308BDS-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308BDS-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2308BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.09W€1.66W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:156mΩ@10V,1.9A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订202个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订202个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:3.16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W€27.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:905pF@30V

    连续漏极电流:12.6A€36.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2318DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@20V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS468DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS468DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS468DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@40V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:19.5mΩ@10V,10A

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7114DN-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7114DN-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7114DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:11.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10V,18.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7114DN-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7114DN-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7114DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:11.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10V,18.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@10V,2.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2306BDS-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:3.16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS892ADN-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS892ADN-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS892ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:19.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@50V

    连续漏极电流:28A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:33mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7423DN-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7423DN-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7423DN-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7.4A

    漏源电压:30V

    导通电阻:18mΩ@10V,11.7A

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    栅极电荷:56nC@10V

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-E3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-E3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-E3

    导通电阻:70mΩ@10V,2.5A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:225pF@15V

    类型:1个N沟道

    连续漏极电流:2.6A

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:4nC@5V

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS892ADN-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS892ADN-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS892ADN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    连续漏极电流:28A

    输入电容:550pF@50V

    栅极电荷:19.5nC@10V

    导通电阻:33mΩ@10A,10V

    阈值电压:3V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.7W€52W

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4435DDY-T1-GE3 起订10000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4435DDY-T1-GE3 起订10000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4435DDY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:1.35nF@15V

    连续漏极电流:11.4A

    阈值电压:3V@250μA

    导通电阻:24mΩ@10V,9.1A

    功率:2.5W€5W

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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