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    漏源电压
    连续漏极电流
    品牌: VISHAY
    阈值电压: 1V@250μA
    类型: 2个N沟道
    当前匹配商品:6
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB912DK-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB912DK-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:1.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:216mΩ@4.5V,1.8A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB912DK-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB912DK-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:1.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:216mΩ@4.5V,1.8A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB912DK-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB912DK-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:1.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:216mΩ@4.5V,1.8A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB912DK-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB912DK-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:1.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:216mΩ@4.5V,1.8A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA910EDJ-T1-GE3 起订数5000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA910EDJ-T1-GE3 起订数5000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:7.8W

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:28mΩ@4.5V,5.2A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB912DK-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB912DK-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    连续漏极电流:1.5A

    导通电阻:216mΩ@4.5V,1.8A

    阈值电压:1V@250μA

    漏源电压:20V

    类型:2个N沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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