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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2351ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2351ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS80DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：65W€5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：122nC@10V
输入电容：6.45nF@10V
连续漏极电流：58.3A€210A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.92mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2351ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS80DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：65W€5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：122nC@10V
输入电容：6.45nF@10V
连续漏极电流：58.3A€210A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.92mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2315
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1553CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：390mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2315
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1553CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：390mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2315
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1553CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：390mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
