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    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRL520PBF 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRL520PBF 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:60W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:490pF@25V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@5V,5.5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订500个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ14PBF-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ14PBF-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLZ14PBF-BE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:43W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.4nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRLIZ14GPBF 起订数50个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLIZ14GPBF 起订数50个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:27W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:8.4nC@5V

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@4.8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5302DT-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5302DT-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48.1W€3.8W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.03nF@15V

    连续漏极电流:28.1A€100A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ14PBF-BE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ14PBF-BE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLZ14PBF-BE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:43W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.4nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL110TRPBF 起订数7500个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL110TRPBF 起订数7500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:540mΩ@5V,900mA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL110TRPBF 起订数5000个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL110TRPBF 起订数5000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:540mΩ@5V,900mA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZF5300DT-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZF5300DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:56.8W€4.5W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.48nF@15V

    连续漏极电流:125A€35A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.43mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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