销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：19W

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：69nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2180pF@10V

连续漏极电流：12A

类型：P沟道

导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA433EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.5W€19W

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：75nC@8V

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：12A

类型：P沟道

导通电阻：18mΩ@7.6A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS447DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：1.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：181nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5590pF@10V

连续漏极电流：18A

类型：P沟道

导通电阻：7.1mΩ@20A，10V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA445EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.5W€19W

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：72nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2130pF@10V

连续漏极电流：12A

类型：P沟道

导通电阻：16.5mΩ@7A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS447DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：181nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5590pF@10V

连续漏极电流：18A

类型：P沟道

导通电阻：7.1mΩ@20A，10V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA445EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.5W€19W

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：72nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2130pF@10V

连续漏极电流：12A

类型：P沟道

导通电阻：16.5mΩ@7A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1031R-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：250mW

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：1.5nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：140mA

类型：P沟道

导通电阻：8Ω@150mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1032R-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：250mW

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：0.75nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：140mA

类型：N沟道

导通电阻：5Ω@200mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1032R-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：250mW

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：0.75nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：140mA

类型：N沟道

导通电阻：5Ω@200mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1032R-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：250mW

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：0.75nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：140mA

类型：N沟道

导通电阻：5Ω@200mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA445EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.5W€19W

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：72nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2130pF@10V

连续漏极电流：12A

类型：P沟道

导通电阻：16.5mΩ@7A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS447DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：1.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：181nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5590pF@10V

连续漏极电流：18A

类型：P沟道

导通电阻：7.1mΩ@20A，10V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA433EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.5W€19W

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：75nC@8V

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：12A

类型：P沟道

导通电阻：18mΩ@7.6A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA459EDJ-T1-GE3

工作温度：-50℃~150℃

功率：2.9W€15.6W

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：30nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：885pF@10V

连续漏极电流：9A

类型：P沟道

导通电阻：35mΩ@5A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA433EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.5W€19W

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：75nC@8V

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：12A

类型：P沟道

导通电阻：18mΩ@7.6A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1032X-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：300mW

阈值电压：1.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：0.75nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：200mA

类型：N沟道

导通电阻：5Ω@200mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1032R-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：250mW

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：0.75nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：140mA

类型：N沟道

导通电阻：5Ω@200mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA433EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.5W€19W

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：75nC@8V

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：12A

类型：P沟道

导通电阻：18mΩ@7.6A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS447DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：181nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5590pF@10V

连续漏极电流：18A

类型：P沟道

导通电阻：7.1mΩ@20A，10V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA433EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.5W€19W

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：75nC@8V

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：12A

类型：P沟道

导通电阻：18mΩ@7.6A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA445EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.5W€19W

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：72nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2130pF@10V

连续漏极电流：12A

类型：P沟道

导通电阻：16.5mΩ@7A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA445EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.5W€19W

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：72nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2130pF@10V

连续漏极电流：12A

类型：P沟道

导通电阻：16.5mΩ@7A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA445EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.5W€19W

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：72nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2130pF@10V

连续漏极电流：12A

类型：P沟道

导通电阻：16.5mΩ@7A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS447DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：1.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：181nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5590pF@10V

连续漏极电流：18A

类型：P沟道

导通电阻：7.1mΩ@20A，10V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS447DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：52W

阈值电压：1.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：181nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5590pF@10V

连续漏极电流：18A

类型：P沟道

导通电阻：7.1mΩ@20A，10V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA459EDJ-T1-GE3

工作温度：-50℃~150℃

功率：2.9W€15.6W

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：30nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：885pF@10V

连续漏极电流：9A

类型：P沟道

导通电阻：35mΩ@5A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA459EDJ-T1-GE3

工作温度：-50℃~150℃

功率：2.9W€15.6W

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：30nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：885pF@10V

连续漏极电流：9A

类型：P沟道

导通电阻：35mΩ@5A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1031R-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：250mW

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：1.5nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：140mA

类型：P沟道

导通电阻：8Ω@150mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1031R-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：250mW

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：1.5nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：140mA

类型：P沟道

导通电阻：8Ω@150mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA459EDJ-T1-GE3

工作温度：-50℃~150℃

功率：2.9W€15.6W

阈值电压：1.2V@250µA

栅极电荷：30nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：885pF@10V

连续漏极电流：9A

类型：P沟道

导通电阻：35mΩ@5A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1