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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343DS-T1-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2343DS-T1-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2343DS-T1-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.1A

    导通电阻:53mΩ@4A,10V

    栅极电荷:21nC@10V

    类型:P沟道

    输入电容:540pF@15V

    功率:750mW

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    连续漏极电流:1.9A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8nC@10V

    输入电容:155pF@15V

    导通电阻:190mΩ

    功率:1W€2.3W

    类型:P-Channel

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    栅极电荷:65nC@10V

    功率:2.5W€5.6W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    输入电容:1960pF@15V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4435DDY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4435DDY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4435DDY-T1-GE3

    连续漏极电流:8.1A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1350pF@15V

    栅极电荷:50nC@10V

    导通电阻:24mΩ

    功率:2.5W€5W

    类型:P-Channel

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-E3

    导通电阻:34mΩ@6.1A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:33nC@10V

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-GE3 起订250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-GE3 起订250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:5.1A

    功率:2W€3W

    类型:P沟道

    栅极电荷:15nC@10V

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:74mΩ@4.1A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-GE3

    导通电阻:34mΩ@6.1A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:33nC@10V

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    功率:2W€4.2W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4816BDY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4816BDY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4816BDY-T1-GE3

    功率:1W€1.25W

    连续漏极电流:5.8A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N-Channel

    栅极电荷:10nC@5V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1900DL-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1900DL-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1900DL-T1-E3

    功率:270mW

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    阈值电压:3V@250µA

    连续漏极电流:590mA

    导通电阻:480mΩ@590mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2303CDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    漏源电压:30V

    导通电阻:190mΩ@1.9A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8nC@10V

    输入电容:155pF@15V

    功率:1W€2.3W

    类型:P沟道

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3417DV-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3417DV-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3417DV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1350pF@15V

    栅极电荷:50nC@10V

    导通电阻:25.2mΩ@7.3A,10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    功率:2W€4.2W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7336ADP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7336ADP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7336ADP-T1-GE3

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:5.4W

    导通电阻:3mΩ@25A,10V

    连续漏极电流:30A

    阈值电压:3V@250µA

    输入电容:5600pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA469DJ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA469DJ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA469DJ-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:12A

    功率:15.6W

    导通电阻:26.5mΩ@5A,10V

    类型:P沟道

    输入电容:1020pF@15V

    栅极电荷:15nC@4.5V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1900DL-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1900DL-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1900DL-T1-GE3

    功率:300mW€270mW

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:630mA€590mA

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:480mΩ@590mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1302DL-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1302DL-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1302DL-T1-GE3

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:280mW

    导通电阻:480mΩ@600mA,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    连续漏极电流:600mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7421DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    栅极电荷:40nC@10V

    导通电阻:25mΩ@9.8A,10V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:6.4A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3421DV-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3421DV-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3421DV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:19.2mΩ@7A,10V

    输入电容:2580pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    栅极电荷:69nC@10V

    功率:2W€4.2W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7686DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7686DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7686DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1220pF@15V

    栅极电荷:26nC@10V

    导通电阻:9.5mΩ@13.8A,10V

    连续漏极电流:35A

    阈值电压:3V@250µA

    功率:5W€37.9W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-E3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-E3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:70mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    输入电容:225pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    栅极电荷:4nC@5V

    功率:750mW

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4435DDY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4435DDY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4435DDY-T1-GE3

    连续漏极电流:8.1A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1350pF@15V

    栅极电荷:50nC@10V

    导通电阻:24mΩ

    功率:2.5W€5W

    类型:P-Channel

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    栅极电荷:65nC@10V

    功率:2.5W€5.6W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    输入电容:1960pF@15V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1302DL-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1302DL-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1302DL-T1-GE3

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:280mW

    导通电阻:480mΩ@600mA,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    连续漏极电流:600mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925DDY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4925DDY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4925DDY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1350pF@15V

    导通电阻:29mΩ@7.3A,10V

    功率:5W

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    栅极电荷:65nC@10V

    功率:2.5W€5.6W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    输入电容:1960pF@15V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4894BDY-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4894BDY-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4894BDY-T1-E3

    输入电容:1580pF@15V

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:38nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:8.9A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:5.1A

    功率:2W€3W

    类型:P沟道

    栅极电荷:15nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:74mΩ@4.1A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1302DL-T1-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1302DL-T1-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1302DL-T1-BE3

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:280mW

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:480mΩ@600mA,10V

    类型:N沟道

    阈值电压:3V@250µA

    连续漏极电流:600mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA421DJ-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA421DJ-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA421DJ-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:950pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    导通电阻:35mΩ@5.3A,10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    功率:3.5W€19W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3483CDV-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-E3

    导通电阻:34mΩ@6.1A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:33nC@10V

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4894BDY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4894BDY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4894BDY-T1-GE3

    输入电容:1580pF@15V

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:38nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:8.9A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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