品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343DS-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.1A
导通电阻:53mΩ@4A,10V
栅极电荷:21nC@10V
类型:P沟道
输入电容:540pF@15V
功率:750mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8nC@10V
输入电容:155pF@15V
导通电阻:190mΩ
功率:1W€2.3W
类型:P-Channel
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3
栅极电荷:65nC@10V
功率:2.5W€5.6W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:18mΩ@10A,10V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
输入电容:1960pF@15V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DDY-T1-GE3
连续漏极电流:8.1A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1350pF@15V
栅极电荷:50nC@10V
导通电阻:24mΩ
功率:2.5W€5W
类型:P-Channel
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-E3
导通电阻:34mΩ@6.1A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:33nC@10V
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5.1A
功率:2W€3W
类型:P沟道
栅极电荷:15nC@10V
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:74mΩ@4.1A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-GE3
导通电阻:34mΩ@6.1A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:33nC@10V
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
功率:2W€4.2W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4816BDY-T1-GE3
功率:1W€1.25W
连续漏极电流:5.8A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
栅极电荷:10nC@5V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1900DL-T1-E3
功率:270mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:590mA
导通电阻:480mΩ@590mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
漏源电压:30V
导通电阻:190mΩ@1.9A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8nC@10V
输入电容:155pF@15V
功率:1W€2.3W
类型:P沟道
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3417DV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1350pF@15V
栅极电荷:50nC@10V
导通电阻:25.2mΩ@7.3A,10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
功率:2W€4.2W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7336ADP-T1-GE3
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:5.4W
导通电阻:3mΩ@25A,10V
连续漏极电流:30A
阈值电压:3V@250µA
输入电容:5600pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA469DJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:12A
功率:15.6W
导通电阻:26.5mΩ@5A,10V
类型:P沟道
输入电容:1020pF@15V
栅极电荷:15nC@4.5V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1900DL-T1-GE3
功率:300mW€270mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:630mA€590mA
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:480mΩ@590mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1302DL-T1-GE3
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:280mW
导通电阻:480mΩ@600mA,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7421DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
栅极电荷:40nC@10V
导通电阻:25mΩ@9.8A,10V
类型:P沟道
连续漏极电流:6.4A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3421DV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:19.2mΩ@7A,10V
输入电容:2580pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
栅极电荷:69nC@10V
功率:2W€4.2W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7686DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1220pF@15V
栅极电荷:26nC@10V
导通电阻:9.5mΩ@13.8A,10V
连续漏极电流:35A
阈值电压:3V@250µA
功率:5W€37.9W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:70mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
输入电容:225pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
栅极电荷:4nC@5V
功率:750mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DDY-T1-GE3
连续漏极电流:8.1A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1350pF@15V
栅极电荷:50nC@10V
导通电阻:24mΩ
功率:2.5W€5W
类型:P-Channel
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3
栅极电荷:65nC@10V
功率:2.5W€5.6W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:18mΩ@10A,10V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
输入电容:1960pF@15V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1302DL-T1-GE3
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:280mW
导通电阻:480mΩ@600mA,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4925DDY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1350pF@15V
导通电阻:29mΩ@7.3A,10V
功率:5W
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3
栅极电荷:65nC@10V
功率:2.5W€5.6W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:18mΩ@10A,10V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
输入电容:1960pF@15V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4894BDY-T1-E3
输入电容:1580pF@15V
导通电阻:11mΩ@12A,10V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:8.9A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5.1A
功率:2W€3W
类型:P沟道
栅极电荷:15nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:74mΩ@4.1A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1302DL-T1-BE3
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:280mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:480mΩ@600mA,10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA421DJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:950pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
导通电阻:35mΩ@5.3A,10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
功率:3.5W€19W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-E3
导通电阻:34mΩ@6.1A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:33nC@10V
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4894BDY-T1-GE3
输入电容:1580pF@15V
导通电阻:11mΩ@12A,10V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:8.9A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: