品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1225pF@6V
连续漏极电流:7.1A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2305CDS-T1-GE3
连续漏极电流:5.8A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:35mΩ@4.4A,4.5V
输入电容:960pF@4V
栅极电荷:30nC@8V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
功率:960mW€1.7W
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2374DS-T1-GE3
连续漏极电流:4.5A€5.9A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:735pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
漏源电压:20V
功率:960mW€1.7W
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3
输入电容:2970pF@6V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:14mΩ@7A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:87nC@8V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1062X-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:2.7nC@8V
功率:220mW
连续漏极电流:530mA
类型:N沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:420mΩ@500mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-BE3
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:5A€6A
类型:P沟道
漏源电压:12V
栅极电荷:35nC@8V
阈值电压:1V@250µA
功率:1.2W€1.7W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.1A
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
功率:860mW€1.6W
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5908DC-T1-E3
导通电阻:40mΩ@4.4A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
功率:1.1W
漏源电压:20V
连续漏极电流:4.4A
类型:2N沟道(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:57nC@8V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
功率:3.6W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6926ADQ-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.1A
导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1275pF@6V
类型:P沟道
漏源电压:12V
栅极电荷:35nC@8V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:6A
功率:1.2W€1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1225pF@6V
连续漏极电流:7.1A
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3429EDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:8A€8A
输入电容:4085pF@50V
导通电阻:21mΩ@4A,4.5V
栅极电荷:118nC@10V
类型:P沟道
功率:4.2W
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA461DJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:45nC@8V
连续漏极电流:12A
输入电容:1300pF@10V
导通电阻:33mΩ@5.2A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
功率:3.4W€17.9W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
输入电容:6900pF@10V
导通电阻:8mΩ@7A,4.5V
连续漏极电流:7.7A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4465ADY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:9mΩ@14A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:13.7A€20A
功率:3W€6.5W
栅极电荷:85nC@4.5V
漏源电压:8V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5517DU-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W
类型:N和P沟道
导通电阻:39mΩ@4.4A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:520pF@10V
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA413DJ-T1-GE3
导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:57nC@8V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
功率:3.5W€19W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1967DH-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:490mΩ@910mA,4.5V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:45nC@8V
输入电容:1300pF@10V
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.2A€6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2365EDS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:32mΩ@4A,4.5V
功率:1W€1.7W
漏源电压:20V
栅极电荷:36nC@8V
连续漏极电流:5.9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323DS-T1-BE3
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
类型:P沟道
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
功率:750mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:615pF@10V
连续漏极电流:2.1A
栅极电荷:19nC@8V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:76mΩ@1A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:17nC@8V
功率:500mW
连续漏极电流:2.3A
导通电阻:59mΩ@1A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1036X-T1-GE3
导通电阻:540mΩ@500mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:36pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
功率:220mW
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:610mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301CDS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.1A
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
功率:860mW€1.6W
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:17nC@8V
功率:500mW
连续漏极电流:2.3A
导通电阻:59mΩ@1A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA537EDJ-T1-GE3
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:12V€20V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
输入电容:455pF@6V
连续漏极电流:4.5A
功率:7.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.5W
类型:N沟道
连续漏极电流:6.7A€8A
栅极电荷:24nC@8V
输入电容:860pF@10V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:18nC@4.5V
连续漏极电流:4.1A
导通电阻:32mΩ@5.3A,4.5V
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:1100pF@6V
功率:750mW
包装清单:商品主体 * 1
库存: