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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@10V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@10V

    连续漏极电流:4.1A€5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1427EDH-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1427EDH-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1427EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:21nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7615CDN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7615CDN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7615CDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:63nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3860pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:9mΩ@12A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4403DDY-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4403DDY-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4403DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:99nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@10V

    连续漏极电流:15.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€39.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5875pF@10V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2377EDS-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2377EDS-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2377EDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€1.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.7A€4.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:61mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:5.2A€6A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB433EDK-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB433EDK-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB433EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:58mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH407DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH407DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH407DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€33W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:93.8nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2760pF@10V

    连续漏极电流:15.4A€25A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@15.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:5.2A€6A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€39.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5875pF@10V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€39.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5875pF@10V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493DDV-T1-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493DDV-T1-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3493DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1825pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493DDV-T1-GE3 起订20个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493DDV-T1-GE3 起订20个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3493DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1825pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA811ADJ-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA811ADJ-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA811ADJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W€6.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:116mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3429EDV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3429EDV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3429EDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:118nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4085pF@50V

    连续漏极电流:8A€8A

    类型:P沟道

    导通电阻:21mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2377EDS-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2377EDS-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2377EDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€1.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.7A€4.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:61mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2365EDS-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2365EDS-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2365EDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:36nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€33W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:93.8nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2760pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@15.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4403CDY-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4403CDY-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4403CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:90nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@10V

    连续漏极电流:13.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.5mΩ@9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2367DS-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2367DS-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2367DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:23nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:561pF@10V

    连续漏极电流:2.8A€3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:66mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA461DJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA461DJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA461DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.4W€17.9W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:33mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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