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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858BDP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858BDP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7858BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:84nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5760pF@6V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3460EV-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3460EV-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3460EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2364EES-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2364EES-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@10V

    连续漏极电流:5A€6A

    类型:N沟道

    导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:440mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8806DB-T2-E1 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8806DB-T2-E1 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8806DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2374DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:735pF@10V

    连续漏极电流:4.5A€5.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2364EES-T1_BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2364EES-T1_BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB422EDK-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB422EDK-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB422EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€13W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4838BDY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4838BDY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:84nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5760pF@6V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-GE3 起订17个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-GE3 起订17个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:440mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2374DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:735pF@10V

    连续漏极电流:4.5A€5.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2374DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:735pF@10V

    连续漏极电流:4.5A€5.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB422EDK-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB422EDK-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB422EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€13W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312CDS-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2374DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:735pF@10V

    连续漏极电流:4.5A€5.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2374DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:735pF@10V

    连续漏极电流:4.5A€5.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4838BDY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4838BDY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:84nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5760pF@6V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1424EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460DDV-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460DDV-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3460DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:666pF@10V

    连续漏极电流:7.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:440mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1424EDH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A€4A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1424EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460DDV-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460DDV-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3460DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:666pF@10V

    连续漏极电流:7.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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