品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHB24N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
输入电容:2740pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:24A
栅极电荷:122nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP28N65E-GE3
连续漏极电流:29A
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
类型:N沟道
栅极电荷:140nC@10V
输入电容:3405pF@100V
漏源电压:650V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:112mΩ@14A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
导通电阻:271mΩ@7A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:98nC@10V
输入电容:1749pF@100V
漏源电压:650V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:15A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP24N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
输入电容:2740pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:24A
栅极电荷:122nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHF12N65E-GE3
栅极电荷:70nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:380mΩ@6A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
输入电容:1224pF@100V
漏源电压:650V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:33W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQW61N65EF-GE3
功率:625W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:650V
栅极电荷:344nC@10V
包装方式:管件
导通电阻:52mΩ@32A,10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:62A
输入电容:7379pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):SIHG24N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
输入电容:2740pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:24A
栅极电荷:122nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQW61N65EF-GE3
功率:625W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:650V
栅极电荷:344nC@10V
包装方式:管件
导通电阻:52mΩ@32A,10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:62A
输入电容:7379pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
类型:N沟道
漏源电压:650V
输入电容:2774pF@100V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:24A
导通电阻:156mΩ@12A,10V
栅极电荷:122nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1749pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:271mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1224pF@100V
连续漏极电流:12A
导通电阻:380mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2774pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQW61N65EF-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:625W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:344nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7379pF@100V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@32A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD6N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:820pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N-Channel
导通电阻:600mΩ
漏源电压:4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP28N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3405pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:112mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG64N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
ECCN:EAR99
包装方式:管件
连续漏极电流:64A
导通电阻:47mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N65E-GE3
包装方式:管件
连续漏极电流:47A
类型:N-Channel
导通电阻:72mΩ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1749pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:271mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB21N65EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2322pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP28N65EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
包装方式:管件
连续漏极电流:28A
类型:N-Channel
导通电阻:117mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2774pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG24N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2740pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP6N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:820pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHS90N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:591nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11826pF@100V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@45A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP6N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:820pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG24N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2740pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB12N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1224pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG44N65EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:278nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5892pF@100V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP28N65EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
包装方式:管件
连续漏极电流:28A
类型:N-Channel
导通电阻:117mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG44N65EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:278nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5892pF@100V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: