品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR5802DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3020pF@40V
连续漏极电流:33.6A€137.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2337DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW€2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@40V
连续漏极电流:1.2A€2.2A
类型:P沟道
导通电阻:270mΩ@1.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR5802DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3020pF@40V
连续漏极电流:33.6A€137.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2337DS-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:760mW€2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@40V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:270mΩ@1.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N08-16-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@40A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH800E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10230pF@40V
连续漏极电流:29A€299A
类型:N沟道
导通电阻:1.55mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2337DS-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:760mW€2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@40V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:270mΩ@1.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR5802DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3020pF@40V
连续漏极电流:33.6A€137.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2337DS-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:760mW€2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@40V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:270mΩ@1.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N08-16-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@40A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2337DS-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:760mW€2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@40V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:270mΩ@1.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2337DS-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:760mW€2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@40V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:270mΩ@1.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N08-16-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@40A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR580DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@40V
连续漏极电流:35.8A€146A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2337DS-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:760mW€2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@40V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:270mΩ@1.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP60030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:散装
输入电容:7910pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N08-16-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@40A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2337DS-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:760mW€2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@40V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:270mΩ@1.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM60020E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:227nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10680pF@40V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2337DS-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:760mW€2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@40V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:270mΩ@1.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH800E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10230pF@40V
连续漏极电流:29A€299A
类型:N沟道
导通电阻:1.55mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2337DS-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:760mW€2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@40V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:270mΩ@1.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2337DS-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:760mW€2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@40V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:270mΩ@1.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2337DS-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:760mW€2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@40V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:270mΩ@1.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM60020E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:227nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10680pF@40V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€56.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@40V
连续漏极电流:16.9A€58.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: