采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR572DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W€92.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2733pF@75V
连续漏极电流：14.8A€59.7A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR572DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W€92.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2733pF@75V
连续漏极电流：14.8A€59.7A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR572DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W€92.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2733pF@75V
连续漏极电流：14.8A€59.7A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR572DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W€92.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2733pF@75V
连续漏极电流：14.8A€59.7A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR572DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W€92.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2733pF@75V
连续漏极电流：14.8A€59.7A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR572DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W€92.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2733pF@75V
连续漏极电流：14.8A€59.7A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR572DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W€92.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2733pF@75V
连续漏极电流：14.8A€59.7A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR572DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W€92.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2733pF@75V
连续漏极电流：14.8A€59.7A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR572DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W€92.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2733pF@75V
连续漏极电流：14.8A€59.7A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR572DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W€92.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2733pF@75V
连续漏极电流：14.8A€59.7A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR572DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W€92.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2733pF@75V
连续漏极电流：14.8A€59.7A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR572DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W€92.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2733pF@75V
连续漏极电流：14.8A€59.7A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR572DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.7W€92.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2733pF@75V
连续漏极电流：14.8A€59.7A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR572DP-T1-RE3
功率：5.7W€92.5W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：14.8A€59.7A
漏源电压：150V
输入电容：2733pF@75V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
导通电阻：10.8mΩ@10A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
