采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBG30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：980pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@1.9A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRF630PBF
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：800pF@25V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：9A
栅极电荷：43nC@10V
功率：74W
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH20N50E-T1-GE3
漏源电压：500V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：22A
包装方式：管件
导通电阻：147mΩ@10A，10V
功率：174W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
输入电容：2063pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：25psc
规格型号(MPN)：SIHG73N60AE-GE3
导通电阻：40mΩ@36.5A，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
类型：N沟道
包装方式：管件
连续漏极电流：60A
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
栅极电荷：394nC@10V
输入电容：5500pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2328DS-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：1.15A
导通电阻：250mΩ@1.5A，10V
阈值电压：4V@250µA
功率：730mW
栅极电荷：5nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：IRFR110PBF
输入电容：180pF@25V
导通电阻：540mΩ@2.6A，10V
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
功率：2.5W€25W
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRFIBC30GPBF
功率：35W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@1.5A，10V
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
连续漏极电流：2.5A
输入电容：660pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
功率：69W
连续漏极电流：4.3A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：622pF@100V
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
栅极电荷：32nC@10V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：800V
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRF740LCPBF
栅极电荷：39nC@10V
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1100pF@25V
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
功率：125W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：SIHG47N60E-GE3
功率：357W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N-Channel
导通电阻：64mΩ
栅极电荷：220nC@10V
连续漏极电流：47A
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
输入电容：9620pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：IRFR024PBF
输入电容：640pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
功率：2.5W€42W
导通电阻：100mΩ@8.4A，10V
包装方式：管件
连续漏极电流：14A
阈值电压：4V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRFBC40LCPBF
栅极电荷：39nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1100pF@25V
类型：N沟道
连续漏极电流：6.2A
功率：125W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
导通电阻：1.2Ω@3.7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFRC20TRPBF
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
功率：2.5W€42W
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
输入电容：350pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR210PBF
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2.6A
输入电容：140pF@25V
类型：N沟道
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：1.5Ω@1.6A，10V
功率：2.5W€25W
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：25psc
规格型号(MPN)：IRFP264PBF
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：5400pF@25V
漏源电压：250V
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：75mΩ@23A，10V
连续漏极电流：38A
功率：280W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRF710SPBF
输入电容：170pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
功率：3.1W€36W
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRFIB6N60APBF
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1400pF@25V
类型：N沟道
栅极电荷：49nC@10V
功率：60W
导通电阻：750mΩ@3.3A，10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
连续漏极电流：5.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFL110TR-BE3
输入电容：180pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：8.3nC@10V
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
连续漏极电流：1.5A
阈值电压：4V@250µA
功率：2W€3.1W
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS92DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
漏源电压：250V
输入电容：350pF@125V
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
栅极电荷：16nC@10V
阈值电压：4V@250µA
功率：5.1W€65.8W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRF640SPBF
栅极电荷：70nC@10V
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
功率：3.1W€130W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
输入电容：1300pF@25V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：SIHA12N60E-E3
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：380mΩ@6A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
功率：33W
输入电容：937pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR578DP-T1-RE3
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：45nC@10V
连续漏极电流：17.2A€70.2A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：150V
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：8.8mΩ@20A，10V
输入电容：2540pF@75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF644PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：250V
栅极电荷：68nC@10V
导通电阻：280mΩ@8.4A，10V
功率：125W
包装方式：管件
连续漏极电流：14A
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：1300pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
导通电阻：52mΩ
ECCN：EAR99
连续漏极电流：24.2A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRF620SPBF
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
连续漏极电流：5.2A
栅极电荷：14nC@10V
类型：N沟道
功率：3W€50W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
输入电容：260pF@25V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH26N60E-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：135mΩ@13A，10V
连续漏极电流：25A
输入电容：2815pF@100V
阈值电压：4V@250µA
功率：202W
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR210TRLPBF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2.6A
输入电容：140pF@25V
类型：N沟道
栅极电荷：8.2nC@10V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：1.5Ω@1.6A，10V
功率：2.5W€25W
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRF644PBF
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：250V
栅极电荷：68nC@10V
导通电阻：280mΩ@8.4A，10V
功率：125W
包装方式：管件
连续漏极电流：14A
阈值电压：4V@250µA
输入电容：1300pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：SIHG47N60E-GE3
功率：357W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：220nC@10V
连续漏极电流：47A
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：64mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
输入电容：9620pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR606BDP-T1-RE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：1470pF@50V
功率：5W€62.5W
导通电阻：17.4mΩ@10A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
连续漏极电流：10.9A€38.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
