品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA10DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:2425pF@15V
导通电阻:3.7mΩ@10A,10V
连续漏极电流:60A
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
功率:5W€40W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7997DP-T1-GE3
功率:46W
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2个P沟道(双)
连续漏极电流:60A
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:6200pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2304DDS-T1-BE3
输入电容:235pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.3A€3.6A
功率:1.1W€1.7W
栅极电荷:6.7nC@10V
导通电阻:60mΩ@3.2A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF300DT-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.2V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:23A€75A€34A€141A
类型:2N沟道(双)
功率:3.8W€48W€4.3W€74W
输入电容:1100pF@15V€3150pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS402DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:6mΩ@19A,10V
功率:3.8W€52W
类型:N沟道
栅极电荷:42nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:35A
输入电容:1700pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA931DJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:445pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:65mΩ@3A,10V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
功率:7.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA14DN-T1-GE3
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@10A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:1450pF@15V
功率:3.57W€26.5W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH402DN-T1-GE3
连续漏极电流:19A€35A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:6mΩ@19A,10V
功率:3.8W€52W
类型:N沟道
栅极电荷:42nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:1700pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA14DN-T1-GE3
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@10A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:1450pF@15V
功率:3.57W€26.5W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:5.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
功率:4.8W€57W
工作温度:-50℃~150℃
栅极电荷:140nC@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:5250pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:56nC@10V
类型:N沟道
输入电容:2815pF@15V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:3.7W€52W
输入电容:3595pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
功率:5W€65.7W
栅极电荷:115nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435FDY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:12.6A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1500pF@15V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:19mΩ@9A,10V
功率:4.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR500DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:0.47mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:85.9A€350.8A
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@250µA
功率:6.25W€104.1W
栅极电荷:180nC@10V
输入电容:8960pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ998BDT-T1-GE3
功率:3.8W€20W€4.8W€32.9W
类型:2个N通道(双),肖特基
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.2V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:23.7A€54.8A€36.2A€94.6A
输入电容:790pF@15V€2130pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ998DT-T1-GE3
输入电容:930pF@15V€2620pF@15V
类型:2个N通道(双),肖特基
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.2V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
功率:20.2W€32.9W
连续漏极电流:20A€60A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA04DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
连续漏极电流:30.9A€40A
阈值电压:2.2V@250µA
功率:3.7W€52W
输入电容:3595pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ902DT-T1-GE3
功率:29W€66W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.2V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:790pF@15V
导通电阻:12mΩ@13.8A,10V
类型:2个N通道(半桥)
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF906BDT-T1-GE3
连续漏极电流:36A€105A€63A€257A
类型:2个N通道(双),肖特基
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.2V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1630pF@15V€5550pF@15V
ECCN:EAR99
功率:4.5W€38W€5W€83W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:3.7W€52W
输入电容:3595pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS04DN-T1-GE3
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4460pF@15V
功率:5W€65.7W
类型:N沟道
栅极电荷:93nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:50.5A€80A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ980DT-T1-GE3
输入电容:930pF@15V€4600pF@15V
类型:2个N通道(双),肖特基
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.2V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:20A€60A
功率:20W€66W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3
输入电容:11700pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:220nC@10V
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
导通电阻:1mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€29.8W
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:985pF@15V
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:437A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@15A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.2V@250µA
功率:500W
输入电容:7315pF@25V
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS06DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:3660pF@15V
阈值电压:2.2V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA14BDP-T1-GE3
功率:3.7W€36W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:917pF@15V
连续漏极电流:21A€64A
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:5.38mΩ@10A,10V
栅极电荷:22nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA04DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA14DN-T1-GE3
连续漏极电流:19.7A€20A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@10A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:1450pF@15V
功率:3.57W€26.5W
包装清单:商品主体 * 1
库存: