品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR402DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@20V
连续漏极电流:64.6A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12900pF@20V
连续漏极电流:31A€100A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:204nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:204nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12900pF@20V
连续漏极电流:31A€100A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12900pF@20V
连续漏极电流:31A€100A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4370pF@20V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:11.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:204nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401FDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:9.9A€14A
类型:P沟道
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4370pF@20V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:11.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12900pF@20V
连续漏极电流:31A€100A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA54DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:36.7W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:48nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.35mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:204nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12900pF@20V
连续漏极电流:31A€100A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4370pF@20V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:11.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:204nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:204nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4370pF@20V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:11.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4370pF@20V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:11.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4370pF@20V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:11.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401FDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:9.9A€14A
类型:P沟道
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4370pF@20V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:11.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4370pF@20V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:11.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401FDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:9.9A€14A
类型:P沟道
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: