品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ7415AENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@5.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7716ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:846pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ7415CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@5.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4825pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:16.1mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ7415AEN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@5.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4825pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:16.1mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ7415AENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@5.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ7415AEN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@5.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ7415CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@5.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ7415CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@5.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS482ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1865pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@16.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS411ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:39.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3191pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:27.3mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ7415AEN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@5.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7716ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:846pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ7415CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@5.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS482EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1865pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@16.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS415ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4825pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:16.1mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: