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    品牌: VISHAY
    阈值电压: 2.5V@250µA
    漏源电压: 40V
    当前匹配商品:1900+
    商品信息
    参数
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840CENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840CENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS840CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1031pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-13L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3590pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS944ENW-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS944ENW-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS944ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@1.25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2318CDS-T1-GE3 起订22个装
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2318CDS-T1-GE3 起订22个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):Si2318CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@20V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319CDS-T1-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319CDS-T1-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:595pF@20V

    连续漏极电流:3.1A€4.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:77mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ860EP-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ860EP-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ860EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€73.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:159nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5380pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.1mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@20V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ141EL-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ141EL-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ141EL-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:600W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:731nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:62190pF@25V

    连续漏极电流:390A

    类型:P沟道

    导通电阻:2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4122DY-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4122DY-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4122DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@20V

    连续漏极电流:27.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401DDY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401DDY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4401DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3007pF@20V

    连续漏极电流:16.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ402E-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ402E-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ402E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13500pF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912DEP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912DEP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ912DEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.3mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ858AEP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ858AEP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ858AEP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40151EL-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40151EL-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD40151EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5340pF@20V

    连续漏极电流:42A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5948DU-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5948DU-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5948DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@20V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:82mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ141EL-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ141EL-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ141EL-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:600W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:731nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:62190pF@25V

    连续漏极电流:390A

    类型:P沟道

    导通电阻:2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116BDN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116BDN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1915pF@20V

    连续漏极电流:18.4A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ244EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ244EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ244EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W€48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V€2800pF@25V

    连续漏极电流:20A€60A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4401EY-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4401EY-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4401EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.14W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4250pF@20V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ402E-T1_GE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ402E-T1_GE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ402E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13500pF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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