品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4961EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@20V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
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栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@20V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQ4961EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:2个P沟道(双)
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-GE3
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功率:1.25W€2.5W
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输入电容:595pF@20V
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类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-GE3
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类型:P沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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类型:P沟道
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类型:P沟道
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功率:1.25W€2.5W
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类型:P沟道
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功率:1.25W€2.5W
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输入电容:595pF@20V
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类型:P沟道
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规格型号(MPN):SQ4961EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
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工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
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连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@3.1A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
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连续漏极电流:4.4A
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
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功率:1.25W€2.5W
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类型:P沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4961EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4961EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
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类型:2个P沟道(双)
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
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栅极电荷:21nC@10V
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输入电容:595pF@20V
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类型:P沟道
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漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
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ECCN:EAR99
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类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
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栅极电荷:21nC@10V
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类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@3.1A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
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类型:P沟道
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漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@3.1A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-GE3
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功率:1.25W€2.5W
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ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@20V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@20V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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