品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ414EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:25nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:12mΩ@4.5A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
输入电容:1110pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ410EL-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:135A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
输入电容:7350pF@25V
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
栅极电荷:150nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD15N06-42L_T4GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:37W
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:535pF@25V
栅极电荷:15nC@10V
连续漏极电流:15A
ECCN:EAR99
导通电阻:42mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:62W
漏源电压:40V
输入电容:1855pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD70140EL_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
功率:71W
输入电容:2100pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:30A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS460EN-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:755pF@25V
功率:39W
连续漏极电流:8A
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:36mΩ@5.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS460CENW-T1_GE3
导通电阻:30mΩ@5.3A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:8A
功率:27W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA80ENW-T1_GE3
导通电阻:21mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:62.5W
连续漏极电流:18A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:1358pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3
栅极电荷:5.3nC@10V
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:2.3A
输入电容:205pF@30V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA68EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
栅极电荷:8nC@10V
导通电阻:92mΩ@4A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:14A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:15A
功率:5W
导通电阻:9mΩ
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ420EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:10mΩ@9.7A,10V
输入电容:1860pF@25V
连续漏极电流:30A
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD70140EL_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
功率:71W
输入电容:2100pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3
输入电容:5400pF@20V
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:29A
导通电阻:4.6mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_BE3
功率:83W
输入电容:978pF@50V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:42A
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:21mΩ@7.1A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA442EJ-T1_GE3
功率:13.6W
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:636pF@25V
连续漏极电流:9A
导通电阻:32mΩ@3A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N05-11L_GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2106pF@25V
导通电阻:11mΩ@45A,10V
漏源电压:50V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
连续漏极电流:50A
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM40010EL-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:230nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
功率:375W
输入电容:11155pF@30V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3426EV-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@30V
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:42mΩ@5A,10V
栅极电荷:12nC@4.5V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3410EV-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:1005pF@15V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:21nC@10V
连续漏极电流:8A
导通电阻:17.5mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ420EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:10mΩ@9.7A,10V
输入电容:1860pF@25V
连续漏极电流:30A
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SQM120N04-1M7L_GE3
栅极电荷:285nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14606pF@20V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.7mΩ@30A,10V
功率:375W
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3
栅极电荷:5.3nC@10V
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:2.3A
输入电容:205pF@30V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_BE3
功率:83W
输入电容:978pF@50V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:42A
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:21mΩ@7.1A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ886EP-T1_GE3
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15.3A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:60A
功率:55W
输入电容:2922pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ488EP-T2_GE3
功率:83W
输入电容:978pF@50V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:42A
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:21mΩ@7.1A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
栅极电荷:12.7nC@10V
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:8A
输入电容:678pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
漏源电压:40V
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:60A
输入电容:5000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR626LEP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
功率:7.5W€150W
连续漏极电流:48.7A€218A
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:5900pF@30V
栅极电荷:135nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD15N06-42L_T4GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:37W
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:535pF@25V
栅极电荷:15nC@10V
连续漏极电流:15A
导通电阻:42mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: