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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ414EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ414EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ414EP-T1_BE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:25nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:12mΩ@4.5A,10V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    输入电容:1110pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ410EL-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ410EL-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ410EL-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:135A

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    输入电容:7350pF@25V

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    栅极电荷:150nC@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD15N06-42L_T4GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD15N06-42L_T4GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD15N06-42L_T4GE3

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:37W

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:535pF@25V

    栅极电荷:15nC@10V

    连续漏极电流:15A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:42mΩ@10A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:62W

    漏源电压:40V

    输入电容:1855pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD70140EL_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD70140EL_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD70140EL_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    功率:71W

    输入电容:2100pF@25V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:30A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460EN-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:755pF@25V

    功率:39W

    连续漏极电流:8A

    栅极电荷:20nC@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460CENW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460CENW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460CENW-T1_GE3

    导通电阻:30mΩ@5.3A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:8A

    功率:27W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA80ENW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA80ENW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA80ENW-T1_GE3

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:62.5W

    连续漏极电流:18A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:21nC@10V

    输入电容:1358pF@40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2308CES-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2308CES-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3

    栅极电荷:5.3nC@10V

    导通电阻:150mΩ@2.3A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:2.3A

    输入电容:205pF@30V

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA68EP-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA68EP-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA68EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:45W

    栅极电荷:8nC@10V

    导通电阻:92mΩ@4A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:14A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:15A

    功率:5W

    导通电阻:9mΩ

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ420EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ420EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ420EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:45W

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:10mΩ@9.7A,10V

    输入电容:1860pF@25V

    连续漏极电流:30A

    栅极电荷:41nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD70140EL_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD70140EL_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD70140EL_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    功率:71W

    输入电容:2100pF@25V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4184EY-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4184EY-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3

    输入电容:5400pF@20V

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:29A

    导通电阻:4.6mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.1W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_BE3

    功率:83W

    输入电容:978pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:42A

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA442EJ-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA442EJ-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA442EJ-T1_GE3

    功率:13.6W

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:636pF@25V

    连续漏极电流:9A

    导通电阻:32mΩ@3A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N05-11L_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2106pF@25V

    导通电阻:11mΩ@45A,10V

    漏源电压:50V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:52nC@10V

    连续漏极电流:50A

    功率:75W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40010EL-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40010EL-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SUM40010EL-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:230nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:1.6mΩ@30A,10V

    功率:375W

    输入电容:11155pF@30V

    连续漏极电流:120A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3426EV-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3426EV-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3426EV-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@30V

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    栅极电荷:12nC@4.5V

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3410EV-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3410EV-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3410EV-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:1005pF@15V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:21nC@10V

    连续漏极电流:8A

    导通电阻:17.5mΩ@5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ420EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ420EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ420EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:45W

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:10mΩ@9.7A,10V

    输入电容:1860pF@25V

    连续漏极电流:30A

    栅极电荷:41nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120N04-1M7L_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120N04-1M7L_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SQM120N04-1M7L_GE3

    栅极电荷:285nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14606pF@20V

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:1.7mΩ@30A,10V

    功率:375W

    连续漏极电流:120A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2308CES-T1_BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2308CES-T1_BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3

    栅极电荷:5.3nC@10V

    导通电阻:150mΩ@2.3A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:2.3A

    输入电容:205pF@30V

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_BE3

    功率:83W

    输入电容:978pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:42A

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ886EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ886EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ886EP-T1_GE3

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@15.3A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:60A

    功率:55W

    输入电容:2922pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T2_GE3

    功率:83W

    输入电容:978pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:42A

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_BE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_BE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_BE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    栅极电荷:12.7nC@10V

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@5A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:8A

    输入电容:678pF@20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_BE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:80nC@10V

    漏源电压:40V

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:68W

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:60A

    输入电容:5000pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR626LEP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR626LEP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR626LEP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:7.5W€150W

    连续漏极电流:48.7A€218A

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:5900pF@30V

    栅极电荷:135nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD15N06-42L_T4GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD15N06-42L_T4GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD15N06-42L_T4GE3

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:37W

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:535pF@25V

    栅极电荷:15nC@10V

    连续漏极电流:15A

    导通电阻:42mΩ@10A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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