品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB40EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:34W
导通电阻:8mΩ@8A,10V
输入电容:1900pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:30A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB68EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
功率:27W
导通电阻:92mΩ
连续漏极电流:11A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB40EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:34W
导通电阻:8mΩ@8A,10V
输入电容:1900pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:30A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ910AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:7mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:30A
输入电容:1869pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ960EL-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:9mΩ@10A,10V
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:63A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ980AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:75V
功率:34W
导通电阻:50mΩ@3.8A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
输入电容:790pF@35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4282EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8A
漏源电压:30V
功率:3.9W
导通电阻:12.3mΩ@15A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
输入电容:2367pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB60EP-T1_GE3
导通电阻:12mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ990EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@25V€650pF@25V
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:34A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ262EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:35.5mΩ@2A,10V,15.5mΩ@5A,10V
连续漏极电流:15A€40A
ECCN:EAR99
漏源电压:60V
功率:27W€48W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ262EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A€40A
输入电容:550pF@25V€1260pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
ECCN:EAR99
漏源电压:60V
功率:27W€48W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ914EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
导通电阻:12mΩ@4.5A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
输入电容:1110pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ910AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:7mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:30A
输入电容:1869pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ980AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:75V
功率:34W
导通电阻:50mΩ@3.8A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
输入电容:790pF@35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB40EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:8mΩ@8A,10V
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4284EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
功率:3.9W
漏源电压:40V
输入电容:2200pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.5mΩ@7A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ968EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:23.5A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
输入电容:714pF@30V
导通电阻:33.6mΩ@4.8A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ946EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:33mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
连续漏极电流:15A
ECCN:EAR99
输入电容:600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ960EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8A
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
输入电容:735pF@25V
导通电阻:36mΩ@5.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ910EL-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:70A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
功率:187W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
输入电容:2832pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ9945BEY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:5.4A
包装方式:卷带(TR)
功率:4W
导通电阻:64mΩ@3.4A,10V
输入电容:470pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB80EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:80V
连续漏极电流:30A
导通电阻:19mΩ@8A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ980AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:75V
功率:34W
导通电阻:50mΩ@3.8A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
输入电容:790pF@35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ912DEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
功率:27W
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
导通电阻:7.3mΩ@7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ900E-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N-Channel
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
连续漏极电流:100A
输入电容:5900pF@20V
栅极电荷:120nC@10V
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4282EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8A
漏源电压:30V
功率:3.9W
导通电阻:12.3mΩ@15A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
输入电容:2367pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ910EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:8.6mΩ
连续漏极电流:70A
类型:N-Channel
功率:187W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ910AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:7mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:30A
输入电容:1869pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4940AEY-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:2V
导通电阻:24mΩ
输入电容:741pF@20V
类型:N-Channel
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:8A
功率:4W
栅极电荷:43nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: