采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
类型：N沟道
漏源电压：80V
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
栅极电荷：36nC@10V
阈值电压：3.6V@250µA
输入电容：1520pF@40V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：36 nC @ 10 V
输入电容：1030 pF @ 25 V
连续漏极电流：10A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：550 毫欧 @ 6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：36 nC @ 10 V
输入电容：1030 pF @ 25 V
连续漏极电流：10A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：550 毫欧 @ 6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：125W（Tc）
输入电容：1030 pF @ 25 V
连续漏极电流：10A（Tc）
导通电阻：550 毫欧 @ 6A，10V
栅极电荷：36 nC @ 10 V
阈值电压：4V @ 250µA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
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