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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS660CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：11.2Ω@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF530STRL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS660CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：11.2Ω@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF530STRL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS660CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：11.2Ω@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS660CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：11.2Ω@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4686DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€5.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：18.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4686DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€5.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：18.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4686DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€5.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：18.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4686DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€5.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：18.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7686DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€37.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF530-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7686DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€37.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7686DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€37.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF530STRL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS660CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：11.2Ω@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7686DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€37.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS660CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：11.2Ω@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS660CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：11.2Ω@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS660CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：11.2Ω@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS660CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：11.2Ω@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4686DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€5.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：18.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4686DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€5.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：18.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4686DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€5.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：18.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS660CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：11.2Ω@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4686DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€5.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：18.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
