品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS482ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQS484EN-T1_GE3
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行业应用:工业,汽车
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):SQS482EN-T1_GE3
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规格型号(MPN):SQS484EN-T1_GE3
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:62W
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类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS482EN-T1_GE3
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
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阈值电压:2.5V@250µA
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导通电阻:8.5mΩ@16.4A,10V
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