品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-BE3
功率:2W€3.3W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
连续漏极电流:2.2A€2.9A
输入电容:350pF@30V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:500mΩ@1.1A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
栅极电荷:12nC@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:2W€3.1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-GE3
功率:2W€3.3W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:3V
导通电阻:216mΩ
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:350pF@30V
类型:P-Channel
连续漏极电流:2.2A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-BE3
功率:2W€3.3W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
连续漏极电流:2.2A€2.9A
输入电容:350pF@30V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF-BE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:500mΩ@1.1A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
栅极电荷:12nC@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:2W€3.1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:500mΩ@1.1A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
栅极电荷:12nC@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:2W€3.1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7117DN-T1-E3
功率:3.2W€12.5W
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
输入电容:510pF@25V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:2.17A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2325DS-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:530mA
漏源电压:150V
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
输入电容:510pF@25V
功率:750mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2325DS-T1-BE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:530mA
漏源电压:150V
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
输入电容:510pF@25V
功率:750mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.9A
漏源电压:60V
功率:3.3W
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
输入电容:350pF@30V
类型:P沟道
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-GE3
功率:2W€3.3W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:3V
导通电阻:216mΩ
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:350pF@30V
类型:P-Channel
连续漏极电流:2.2A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7117DN-T1-GE3
功率:3.2W€12.5W
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:2.17A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9014TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:500mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:5.1A
栅极电荷:12nC@10V
类型:P-Channel
阈值电压:4V@250µA
功率:2.5W€25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-GE3
功率:2W€3.3W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.9A
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
输入电容:350pF@30V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9014TRPBF-BE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:500mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:5.1A
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
功率:2.5W€25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9014TRPBF-BE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:500mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:5.1A
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
功率:2.5W€25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2325DS-T1-E3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:530mA
漏源电压:150V
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
输入电容:510pF@25V
功率:750mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9014TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:500mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:5.1A
栅极电荷:12nC@10V
类型:P-Channel
阈值电压:4V@250µA
功率:2.5W€25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:500mΩ@1.1A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
栅极电荷:12nC@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:2W€3.1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7117DN-T1-GE3
功率:3.2W€12.5W
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
输入电容:510pF@25V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:2.17A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2325DS-T1-BE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:530mA
漏源电压:150V
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
输入电容:510pF@25V
功率:750mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9014TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:500mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:5.1A
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:2.5W€25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:500mΩ@1.1A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
栅极电荷:12nC@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:2W€3.1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9014TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:500mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:5.1A
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
功率:2.5W€25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2325DS-T1-BE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:530mA
漏源电压:150V
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
输入电容:510pF@25V
功率:750mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@1.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2325DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9014TRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:P-Channel
导通电阻:500mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:P-Channel
导通电阻:216mΩ
漏源电压:3V
包装清单:商品主体 * 1
库存: